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MBR30035CT PDF预览

MBR30035CT

更新时间： 2024-09-14 02:55:19
品牌 Logo 应用领域
GENESIC 局域网二极管
页数 文件大小 规格书
3页 716K
描述
Silicon Power Schottky Diode

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MBR30035CT 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：R-PUFM-X2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.53
Is Samacsys：N应用：POWER
外壳连接：CATHODE配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.65 VJESD-30 代码：R-PUFM-X2
最大非重复峰值正向电流：2500 A元件数量：2
相数：1端子数量：2
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-40 °C
最大输出电流：150 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED最大重复峰值反向电压：35 V
最大反向电流：8000 µA表面贴装：NO
技术：SCHOTTKY端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

MBR30035CT 数据手册

 浏览型号MBR30035CT的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MBR30035CT的Datasheet PDF文件第3页 
MBR30020CT thru MBR30040CTR  
VRRM = 20 V - 40 V  
IF(AV) = 300 A  
Silicon Power  
Schottky Diode  
Features  
• High Surge Capability  
• Types from 20 V to 40 V VRRM  
Twin Tower Package  
• Not ESD Sensitive  
Maximum ratings, at Tj = 25 °C, unless otherwise specified ("R" devices have leads reversed)  
Conditions  
MBR30035CT(R) MBR30040CT(R)  
Parameter  
Symbol  
MBR30020CT(R) MBR30030CT(R)  
Unit  
Repetitive peak reverse  
voltage  
VRRM  
35  
40  
20  
30  
V
VRMS  
VDC  
Tj  
25  
28  
RMS reverse voltage  
DC blocking voltage  
Operating temperature  
Storage temperature  
14  
21  
V
V
35  
40  
20  
30  
-55 to 150  
-55 to 150  
-55 to 150  
-55 to 150  
-55 to 150  
-55 to 150  
-55 to 150  
-55 to 150  
°C  
°C  
Tstg  
Electrical characteristics, at Tj = 25 °C, unless otherwise specified  
Conditions  
MBR30035CT(R) MBR30040CT(R)  
Parameter  
Symbol  
MBR30020CT(R) MBR30030CT(R)  
Unit  
A
Average forward current  
(per pkg)  
TC = 125 °C  
IF(AV)  
300  
300  
300  
300  
Peak forward surge  
current (per leg)  
IFSM tp = 8.3 ms, half sine  
2000  
2000  
2000  
2000  
A
Maximum forward  
voltage (per leg)  
VF IFM = 150 A, Tj = 25 °C  
Tj = 25 °C  
0.70  
0.70  
V
0.70  
0.70  
1
1
1
1
Reverse current at rated  
DC blocking voltage  
(per leg)  
IR  
Tj = 100 °C  
Tj = 150 °C  
10  
50  
10  
50  
mA  
10  
50  
10  
50  
Thermal characteristics  
Thermal resistance,  
junction-case, per leg  
RΘJC  
0.40  
0.40  
0.40  
0.40  
°C/W  
1
Oct. 2018  
http://www.diodemodule.com/silicon_products/modules/mbr30020ct.pdf  
123

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MBR30035CT 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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200CNQ035 MICROSEMI

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MBR30035CTR TRSYS

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 		Rectifier Diode, Schottky, 150A, 35V V(RRM)
MBR30035CTR GENESIC

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 		Silicon Power Schottky Diode
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 		Silicon Schottky Diode, 300A
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 		High Surge Capability
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 		Silicon Power Schottky Diode
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 		300 Amp Rectifier 20 to 45V olts Schottky Barrier
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