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MBR30045CT PDF预览

MBR30045CT

更新时间： 2024-11-06 02:55:19
品牌 Logo 应用领域
GENESIC 局域网二极管
页数 文件大小 规格书
3页 724K
描述
High Surge Capability

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MBR30045CT 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：R-PUFM-X2
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.54
Is Samacsys：N应用：POWER
外壳连接：CATHODE配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.65 VJESD-30 代码：R-PUFM-X2
最大非重复峰值正向电流：2500 A元件数量：2
相数：1端子数量：2
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-40 °C
最大输出电流：150 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED最大重复峰值反向电压：45 V
最大反向电流：8000 µA表面贴装：NO
技术：SCHOTTKY端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

MBR30045CT 数据手册

 浏览型号MBR30045CT的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MBR30045CT的Datasheet PDF文件第3页 
MBR30045CT thru MBR300100CTR  
VRRM = 45 V - 100 V  
IF(AV) = 300 A  
Silicon Power  
Schottky Diode  
Features  
• High Surge Capability  
• Types from 45 V to 100 V VRRM  
Twin Tower Package  
• Not ESD Sensitive  
Maximum ratings, at Tj = 25 °C, unless otherwise specified ("R" devices have leads reversed)  
Conditions  
MBR30080CT(R) MBR300100CT(R)  
Parameter  
Symbol  
MBR30045CT(R) MBR30060CT(R)  
Unit  
Repetitive peak reverse  
voltage  
VRRM  
80  
100  
45  
60  
V
VRMS  
VDC  
Tj  
57  
70  
RMS reverse voltage  
DC blocking voltage  
Operating temperature  
Storage temperature  
32  
42  
V
V
80  
100  
45  
60  
-55 to 150  
-55 to 150  
-55 to 150  
-55 to 150  
-55 to 150  
-55 to 150  
-55 to 150  
-55 to 150  
°C  
°C  
Tstg  
Electrical characteristics, at Tj = 25 °C, unless otherwise specified  
Conditions  
MBR30080CT(R) MBR300100CT(R)  
Parameter  
Symbol  
MBR30045CT(R) MBR30060CT(R)  
Unit  
A
Average forward current  
(per pkg)  
TC = 125 °C  
IF(AV)  
300  
2000  
0.84  
300  
2000  
0.84  
300  
300  
Peak forward surge  
current (per leg)  
IFSM tp = 8.3 ms, half sine  
2000  
2000  
A
Maximum forward  
voltage (per leg)  
VF IFM = 150 A, Tj = 25 °C  
Tj = 25 °C  
V
0.70  
0.75  
1
1
1
1
Reverse current at rated  
DC blocking voltage  
(per leg)  
IR  
Tj = 100 °C  
Tj = 150 °C  
10  
50  
10  
50  
mA  
10  
50  
10  
50  
Thermal characteristics  
Thermal resistance,  
junction-case, per leg  
RΘJC  
0.40  
0.40  
0.40  
0.40  
°C/W  
1
Oct. 2018  
http://www.diodemodule.com/silicon_products/modules/mbr30045ct.pdf  
123

中文翻译

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MBR30045CT 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MBR20045CT MICROSEMI

功能相似

 Schottky PowerMod
200CNQ045 MICROSEMI

功能相似

 Schottky PowerMod
MBRP20045CT MOTOROLA

功能相似

 SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS 200 AMPERES 45 to 60 VOLTS

与MBR30045CT相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MBR30045CT_V01 GENESIC

获取价格

 		Silicon Power Schottky Diode
MBR30045CTL GENESIC

获取价格

 		High Surge Capability
MBR30045CTR GENESIC

获取价格

 		Silicon Power Schottky Diode
MBR30045CTR AMERICASEMI

获取价格

 		HIGH POWER -SCHOTTKY RECTIFIERS
MBR3004PT_T0_00001 PANJIT

获取价格

 		SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS
MBR3004PT_T0_10001 PANJIT

获取价格

 		SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS
MBR30050CT MOTOROLA

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 300A, 50V V(RRM),
MBR30060CT MCC

获取价格

 		300 Amp Rectifier 20 to 100 Volts Schottky Barrier
MBR30060CT MICROSEMI

获取价格

 		Schottky PowerMod
MBR30060CT MOTOROLA

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 300A, 60V V(RRM),

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