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MBM29LV160T-80PBT-SF2-E1

更新时间： 2024-09-16 15:45:23

品牌	Logo	应用领域
飞索 - SPANSION		内存集成电路
页数	文件大小	规格书
60页	768K
描述
Flash, 1MX16, 80ns, PBGA48, PLASTIC, FBGA-48

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MBM29LV160T-80PBT-SF2-E1 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BGA
包装说明：	PLASTIC, FBGA-48	针数：	48
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.34
最长访问时间：	80 ns	其他特性：	CONFIGURABLE AS 1M X 16
备用内存宽度：	8	启动块：	TOP
JESD-30 代码：	R-PBGA-B48	长度：	9 mm
内存密度：	16777216 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	16	功能数量：	1
端子数量：	48	字数：	1048576 words
字数代码：	1000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：	-20 °C
组织：	1MX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TFBGA	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	240	编程电压：	3 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
类型：	NOR TYPE	宽度：	8 mm
Base Number Matches：	1

MBM29LV160T-80PBT-SF2-E1 数据手册

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FUJITSU SEMICONDUCTOR

DATA SHEET

DS05-20846-4E

FLASH MEMORY

CMOS

16M (2M × 8/1M × 16) BIT

-80/-90/-12

/MBM29LV160B

MBM29LV160T

■ FEATURES

• Single 3.0 V read, program and erase

Minimizes system level power requirements

• Compatible with JEDEC-standard commands

Uses same software commands as E²PROMs

• Compatible with JEDEC-standard world-wide pinouts

48-pin TSOP (I) (Package suffix: PFTN-Normal Bend Type, PFTR-Reversed Bend Type)

46-pin SON (Package suffix: PN)

48-pin CSOP (Package suffix: PCV)

48-ball FBGA (Package suffix: PBT)

• Minimum 100,000 program/erase cycles

• High performance

80 ns maximum access time

• Sector erase architecture

One 8K word, two 4K words, one 16K word, and thirty-one 32K words sectors in word mode

One 16K byte, two 8K bytes, one 32K byte, and thirty-one 64K bytes sectors in byte mode

Any combination of sectors can be concurrently erased. Also supports full chip erase

• Boot Code Sector Architecture

T = Top sector

B = Bottom sector

• Embedded Erase^TMAlgorithms

Automatically pre-programs and erases the chip or any sector

• Embedded program^TMAlgorithms

Automatically programs and verifies data at specified address

• Data Polling and Toggle Bit feature for detection of program or erase cycle completion

• Ready/Busy output (RY/BY)

Hardware method for detection of program or erase cycle completion

• Automatic sleep mode

When addresses remain stable, automatically switches themselves to low power mode

• Low V^CCwrite inhibit ≤ 2.5 V

(Continued)

Embedded Erase^TMand Embedded Program^TMare trademarks of Advanced Micro Devices, Inc.

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MBM29LV160T-80PCV	FUJITSU	获取价格	16M (2M xⅴ 8/1M x 16) BIT
MBM29LV160T-80PCV	SPANSION	获取价格	FLASH MEMORY CMOS 16M (2M x 8/1M x 16) BIT
MBM29LV160T-80PFTN	FUJITSU	获取价格	16M (2M xⅴ 8/1M x 16) BIT
MBM29LV160T-80PFTN	SPANSION	获取价格	FLASH MEMORY CMOS 16M (2M x 8/1M x 16) BIT
MBM29LV160T-80PFTN-E1	SPANSION	获取价格	Flash, 1MX16, 80ns, PDSO48, PLASTIC, TSOP1-48
MBM29LV160T-80PFTR	SPANSION	获取价格	FLASH MEMORY CMOS 16M (2M x 8/1M x 16) BIT
MBM29LV160T-80PFTR	FUJITSU	获取价格	Flash, 1MX16, 80ns, PDSO48, PLASTIC, REVERSE, TSOP1-48
MBM29LV160T-80PFTY	FUJITSU	获取价格	16M (2M xⅴ 8/1M x 16) BIT
MBM29LV160T-80PN	SPANSION	获取价格	Flash, 2MX8, 80ns, PDSO46, PLASTIC, SON-46
MBM29LV160T-80PN	FUJITSU	获取价格	16M (2M xⅴ 8/1M x 16) BIT

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