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MBM29LV160T-80PFTR

更新时间： 2024-12-01 20:18:43

品牌	Logo	应用领域
富士通 - FUJITSU		光电二极管内存集成电路闪存
页数	文件大小	规格书
55页	810K
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Flash, 1MX16, 80ns, PDSO48, PLASTIC, REVERSE, TSOP1-48

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MBM29LV160T-80PFTR 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TSOP1	包装说明：	TSOP1-R, TSSOP48,.8,20
针数：	48	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.7	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	80 ns	其他特性：	CONFIGURABLE AS 1M X 16
备用内存宽度：	8	启动块：	TOP
命令用户界面：	YES	通用闪存接口：	YES
数据轮询：	YES	JESD-30 代码：	R-PDSO-G48
JESD-609代码：	e0	长度：	18.4 mm
内存密度：	16777216 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	16	功能数量：	1
部门数/规模：	1,2,1,31	端子数量：	48
字数：	1048576 words	字数代码：	1000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：	-20 °C	组织：	1MX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP1-R
封装等效代码：	TSSOP48,.8,20	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
电源：	3.3 V	编程电压：	3 V
认证状态：	Not Qualified	就绪/忙碌：	YES
反向引出线：	YES	座面最大高度：	1.2 mm
部门规模：	16K,8K,32K,64K	最大待机电流：	0.000005 A
子类别：	Flash Memories	最大压摆率：	0.035 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	DUAL
切换位：	YES	类型：	NOR TYPE
宽度：	12 mm	Base Number Matches：	1

MBM29LV160T-80PFTR 数据手册

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FUJITSU SEMICONDUCTOR

DATA SHEET

DS05-20846-5E

FLASH MEMORY

CMOS

16M (2M × 8/1M × 16) BIT

MBM29LV160T^-80/-90/-12/MBM29LV160B^-80/-90/-12

■ FEATURES

• Single 3.0 V read, program and erase

Minimizes system level power requirements

• Compatible with JEDEC-standard commands

Uses same software commands as E²PROMs

• Compatible with JEDEC-standard world-wide pinouts

48-pin TSOP (1) (Package suffix: PFTN-Normal Bend Type, PFTR-Reversed Bend Type)

48-pin CSOP (Package suffix: PCV)

48-ball FBGA (Package suffix: PBT)

• Minimum 100,000 program/erase cycles

• High performance

80 ns maximum access time

• Sector erase architecture

One 8K word, two 4K words, one 16K word, and thirty-one 32K words sectors in word mode

One 16K byte, two 8K bytes, one 32K byte, and thirty-one 64K bytes sectors in byte mode

Any combination of sectors can be concurrently erased. Also supports full chip erase

• Boot Code Sector Architecture

T = Top sector

B = Bottom sector

(Continued)

■ PRODUCT LINE UP

Part No.

MBM29LV160T/160B

+0.3 V

–0.3 V

-80

—

V^CC= 3.3 V

Ordering Part No.

+0.6 V

–0.3 V

-90

-12

V^CC= 3.0 V

Max Address Access Time (ns)

Max CE Access Time (ns)

Max OE Access Time (ns)

120

12 3 4 5 6 7...55

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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MBM29LV160T-80PN	SPANSION	获取价格	Flash, 2MX8, 80ns, PDSO46, PLASTIC, SON-46
MBM29LV160T-80PN	FUJITSU	获取价格	16M (2M xⅴ 8/1M x 16) BIT
MBM29LV160T-80PN-E1	SPANSION	获取价格	Flash, 2MX8, 80ns, PDSO46, PLASTIC, SON-46
MBM29LV160T-90	FUJITSU	获取价格	16M (2M xⅴ 8/1M x 16) BIT
MBM29LV160T-90	SPANSION	获取价格	FLASH MEMORY CMOS 16M (2M x 8/1M x 16) BIT
MBM29LV160T-90PBT	SPANSION	获取价格	FLASH MEMORY CMOS 16M (2M x 8/1M x 16) BIT
MBM29LV160T-90PBT	FUJITSU	获取价格	16M (2M xⅴ 8/1M x 16) BIT
MBM29LV160T-90PBT-SF2	FUJITSU	获取价格	16M (2M xⅴ 8/1M x 16) BIT
MBM29LV160T-90PBT-SF2-E1	SPANSION	获取价格	Flash, 1MX16, 90ns, PBGA48, PLASTIC, FBGA-48

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