Datasheet > 存储 > 闪存> MBM29LV160T-90PBT-SF2

MBM29LV160T-90PBT-SF2

更新时间： 2024-11-30 22:34:43

品牌	Logo	应用领域
富士通 - FUJITSU		闪存存储内存集成电路
页数	文件大小	规格书
60页	732K
描述
16M (2M xⅴ 8/1M x 16) BIT

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MBM29LV160T-90PBT-SF2 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	PLASTIC, FBGA-48	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.77	最长访问时间：	90 ns
其他特性：	CONFIGURABLE AS 1M X 16	备用内存宽度：	8
启动块：	TOP	命令用户界面：	YES
通用闪存接口：	YES	数据轮询：	YES
JESD-30 代码：	R-PBGA-B48	JESD-609代码：	e0
长度：	9 mm	内存密度：	16777216 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	16
功能数量：	1	部门数/规模：	1,2,1,31
端子数量：	48	字数：	1048576 words
字数代码：	1000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	1MX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TFBGA	封装等效代码：	BGA48,6X8,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行：	PARALLEL	电源：	3/3.3 V
编程电压：	3 V	认证状态：	Not Qualified
就绪/忙碌：	YES	座面最大高度：	1.2 mm
部门规模：	16K,8K,32K,64K	最大待机电流：	0.000005 A
子类别：	Flash Memories	最大压摆率：	0.035 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
切换位：	YES	类型：	NOR TYPE
宽度：	8 mm	Base Number Matches：	1

MBM29LV160T-90PBT-SF2 数据手册

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FUJITSU SEMICONDUCTOR

DATA SHEET

DS05-20846-4E

FLASH MEMORY

CMOS

16M (2M × 8/1M × 16) BIT

-80/-90/-12

/MBM29LV160B

MBM29LV160T

■ FEATURES

• Single 3.0 V read, program and erase

Minimizes system level power requirements

• Compatible with JEDEC-standard commands

Uses same software commands as E²PROMs

• Compatible with JEDEC-standard world-wide pinouts

48-pin TSOP (I) (Package suffix: PFTN-Normal Bend Type, PFTR-Reversed Bend Type)

46-pin SON (Package suffix: PN)

48-pin CSOP (Package suffix: PCV)

48-ball FBGA (Package suffix: PBT)

• Minimum 100,000 program/erase cycles

• High performance

80 ns maximum access time

• Sector erase architecture

One 8K word, two 4K words, one 16K word, and thirty-one 32K words sectors in word mode

One 16K byte, two 8K bytes, one 32K byte, and thirty-one 64K bytes sectors in byte mode

Any combination of sectors can be concurrently erased. Also supports full chip erase

• Boot Code Sector Architecture

T = Top sector

B = Bottom sector

• Embedded Erase^TMAlgorithms

Automatically pre-programs and erases the chip or any sector

• Embedded program^TMAlgorithms

Automatically programs and verifies data at specified address

• Data Polling and Toggle Bit feature for detection of program or erase cycle completion

• Ready/Busy output (RY/BY)

Hardware method for detection of program or erase cycle completion

• Automatic sleep mode

When addresses remain stable, automatically switches themselves to low power mode

• Low V^CCwrite inhibit ≤ 2.5 V

(Continued)

Embedded Erase^TMand Embedded Program^TMare trademarks of Advanced Micro Devices, Inc.

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MBM29LV160T-90PBT-SF2-E1	SPANSION	获取价格	Flash, 1MX16, 90ns, PBGA48, PLASTIC, FBGA-48
MBM29LV160T-90PBT-X	FUJITSU	获取价格	Flash, 2MX8, 90ns, PBGA48, PLASTIC, FBGA-48
MBM29LV160T-90PCV	FUJITSU	获取价格	16M (2M xⅴ 8/1M x 16) BIT
MBM29LV160T-90PCV	SPANSION	获取价格	FLASH MEMORY CMOS 16M (2M x 8/1M x 16) BIT
MBM29LV160T-90PCV-E1	SPANSION	获取价格	Flash, 1MX16, 90ns, PDSO48, PLASTIC, CSOP-48
MBM29LV160T-90PFTN	SPANSION	获取价格	FLASH MEMORY CMOS 16M (2M x 8/1M x 16) BIT
MBM29LV160T-90PFTN	FUJITSU	获取价格	16M (2M xⅴ 8/1M x 16) BIT
MBM29LV160T-90PFTN-E1	SPANSION	获取价格	Flash, 1MX16, 90ns, PDSO48, PLASTIC, TSOP1-48
MBM29LV160T-90PFTN-X	FUJITSU	获取价格	暂无描述
MBM29LV160T-90PFTR	SPANSION	获取价格	FLASH MEMORY CMOS 16M (2M x 8/1M x 16) BIT

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