是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | PLASTIC, TSOP1-48 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.51 |
风险等级: | 5.28 | 最长访问时间: | 55 ns |
备用内存宽度: | 8 | 启动块: | BOTTOM |
命令用户界面: | YES | 通用闪存接口: | YES |
数据轮询: | YES | JESD-30 代码: | R-PDSO-G48 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 18.4 mm |
内存密度: | 16777216 bit | 内存集成电路类型: | FLASH |
内存宽度: | 16 | 功能数量: | 1 |
部门数/规模: | 1,2,1,31 | 端子数量: | 48 |
字数: | 1048576 words | 字数代码: | 1000000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | -20 °C | 组织: | 1MX16 |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | TSOP1 |
封装等效代码: | TSSOP48,.8,20 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 5 V |
编程电压: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
就绪/忙碌: | YES | 座面最大高度: | 1.2 mm |
部门规模: | 16K,8K,32K,64K | 最大待机电流: | 0.000005 A |
子类别: | Flash Memories | 最大压摆率: | 0.06 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.25 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.75 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.5 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 切换位: | YES |
类型: | NOR TYPE | 宽度: | 12 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MBM29F160BE-55PFTN | FUJITSU |
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16M (2M X 8/1M X 16) BIT | |
MBM29F160BE-55PFTR | FUJITSU |
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16M (2M X 8/1M X 16) BIT | |
MBM29F160BE-55TN | FUJITSU |
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16M (2M X 8/1M X 16) BIT | |
MBM29F160BE-55TR | FUJITSU |
获取价格 |
16M (2M X 8/1M X 16) BIT | |
MBM29F160BE-70 | FUJITSU |
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16M (2M X 8/1M X 16) BIT | |
MBM29F160BE-70PFTN | FUJITSU |
获取价格 |
16M (2M X 8/1M X 16) BIT | |
MBM29F160BE-70PFTR | FUJITSU |
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16M (2M X 8/1M X 16) BIT | |
MBM29F160BE70TN | SPANSION |
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Flash, 1MX16, 70ns, PDSO48, PLASTIC, TSOP1-48 | |
MBM29F160BE-70TN | FUJITSU |
获取价格 |
16M (2M X 8/1M X 16) BIT | |
MBM29F160BE70TN-E1 | SPANSION |
获取价格 |
Flash, 1MX16, 70ns, PDSO48, PLASTIC, TSOP1-48 |