5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TSOP1 | 包装说明： | TSOP1-R, TSSOP48,.8,20 |
| 针数： | 48 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.51 |
| 风险等级： | 5.84 | 最长访问时间： | 90 ns |
| 备用内存宽度： | 8 | 启动块： | BOTTOM |
| 命令用户界面： | YES | 通用闪存接口： | YES |
| 数据轮询： | YES | JESD-30 代码： | R-PDSO-G48 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 18.4 mm |
| 内存密度： | 16777216 bit | 内存集成电路类型： | FLASH |
| 内存宽度： | 16 | 功能数量： | 1 |
| 部门数/规模： | 1,2,1,31 | 端子数量： | 48 |
| 字数： | 1048576 words | 字数代码： | 1000000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 1MX16 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | TSOP1-R |
| 封装等效代码： | TSSOP48,.8,20 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 | 电源： | 5 V |
| 编程电压： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 就绪/忙碌： | YES | 反向引出线： | YES |
| 座面最大高度： | 1.2 mm | 部门规模： | 16K,8K,32K,64K |
| 最大待机电流： | 0.000005 A | 子类别： | Flash Memories |
| 最大压摆率： | 0.06 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 0.5 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 切换位： | YES | 类型： | NOR TYPE |
| 宽度： | 12 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MBM29F160BE-90TR | FUJITSU |
获取价格 |
16M (2M X 8/1M X 16) BIT |
|
| MBM29F160BE90TR-E1 | SPANSION |
获取价格 |
Flash, 1MX16, 90ns, PDSO48, PLASTIC, REVERSE, TSOP1-48 |
|
| MBM29F160TE | FUJITSU |
获取价格 |
16M (2M X 8/1M X 16) BIT |
|
| MBM29F160TE-55 | FUJITSU |
获取价格 |
16M (2M X 8/1M X 16) BIT |
|
| MBM29F160TE55PFTN | FUJITSU |
获取价格 |
Flash, 1MX16, 55ns, PDSO48, PLASTIC, TSOP1-48 |
|
| MBM29F160TE-55PFTN | FUJITSU |
获取价格 |
16M (2M X 8/1M X 16) BIT |
|
| MBM29F160TE55PFTR | FUJITSU |
获取价格 |
Flash, 1MX16, 55ns, PDSO48, PLASTIC, REVERSE, TSOP1-48 |
|
| MBM29F160TE-55PFTR | FUJITSU |
获取价格 |
16M (2M X 8/1M X 16) BIT |
|
| MBM29F160TE-55TN | FUJITSU |
获取价格 |
16M (2M X 8/1M X 16) BIT |
|
| MBM29F160TE-55TR | FUJITSU |
获取价格 |
16M (2M X 8/1M X 16) BIT |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
