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MBM29F160TE55PFTN

更新时间： 2024-11-23 21:14:19

品牌	Logo	应用领域
富士通 - FUJITSU		光电二极管内存集成电路闪存
页数	文件大小	规格书
54页	579K
描述
Flash, 1MX16, 55ns, PDSO48, PLASTIC, TSOP1-48

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MBM29F160TE55PFTN 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	PLASTIC, TSOP1-48	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.59	最长访问时间：	55 ns
备用内存宽度：	8	启动块：	TOP
命令用户界面：	YES	通用闪存接口：	YES
数据轮询：	YES	JESD-30 代码：	R-PDSO-G48
JESD-609代码：	e0	长度：	18.4 mm
内存密度：	16777216 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	16	功能数量：	1
部门数/规模：	1,2,1,31	端子数量：	48
字数：	1048576 words	字数代码：	1000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：	-20 °C	组织：	1MX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP1
封装等效代码：	TSSOP48,.8,20	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	5 V
编程电压：	5 V	认证状态：	Not Qualified
就绪/忙碌：	YES	座面最大高度：	1.2 mm
部门规模：	16K,8K,32K,64K	最大待机电流：	0.000005 A
子类别：	Flash Memories	最大压摆率：	0.06 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.25 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.75 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	切换位：	YES
类型：	NOR TYPE	宽度：	12 mm
Base Number Matches：	1

MBM29F160TE55PFTN 数据手册

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FUJITSU SEMICONDUCTOR

DATA SHEET

DS05-20879-3E

FLASH MEMORY

CMOS

16M (2M × 8/1M × 16) BIT

MBM29F160TE55/70/90

MBM29F160BE55/70/90

■ DESCRIPTION

The MBM29F160TE/BE is a 16M-bit, 5.0 V-only Flash memory organized as 2M bytes of 8 bits each or 1M words

of 16 bits each. The MBM29F160TE/BE is offered in a 48-pin TSOP (I) package. The device is designed to be

programmed in-system with the standard system 5.0 V VCC supply. 12.0 V VPP is not required for write or erase

operations. The device can also be reprogrammed in standard EPROM programmers.

The standard MBM29F160TE/BE offers access times of 55 ns, 70 ns and 90 ns, allowing operation of high-speed

microprocessors without wait states. To eliminate bus contention the device has separate chip enable (CE), write

enable (WE) and output enable (OE) controls.

The MBM29F160TE/BE is pin and command set compatible with JEDEC standard E²PROMs. Commands are

written to the command register using standard microprocessor write timings. Register contents serve as input

to an internal state-machine which controls the erase and programming circuitry. Write cycles also internally latch

addresses and data needed for the programming and erase operations. Reading data out of the device is similar

to reading from 12.0 V Flash or EPROM devices.

(Continued)

■ PRODUCT LINE UP

MBM29F160TE/BE

Power Supply Voltage (V)

Max. Address Access Time (ns)

Max. CE Access Time (ns)

Max. OE Access Time (ns)

V^CC= 5.0 V ± 5 %

VCC = 5.0 V ± 10 %

■ PACKAGES

48-pin plastic TSOP (I)

Marking Side

(FPT-48P-M20)

(FPT-48P-M19)

12 3 4 5 6 7...54

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与MBM29F160TE55PFTN相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MBM29F160TE-55PFTN	FUJITSU	获取价格	16M (2M X 8/1M X 16) BIT
MBM29F160TE55PFTR	FUJITSU	获取价格	Flash, 1MX16, 55ns, PDSO48, PLASTIC, REVERSE, TSOP1-48
MBM29F160TE-55PFTR	FUJITSU	获取价格	16M (2M X 8/1M X 16) BIT
MBM29F160TE-55TN	FUJITSU	获取价格	16M (2M X 8/1M X 16) BIT
MBM29F160TE-55TR	FUJITSU	获取价格	16M (2M X 8/1M X 16) BIT
MBM29F160TE70	SPANSION	获取价格	FLASH MEMORY CMOS 16M (2M X 8/1M X 16) BIT
MBM29F160TE-70	FUJITSU	获取价格	16M (2M X 8/1M X 16) BIT
MBM29F160TE-70PFTN	FUJITSU	获取价格	16M (2M X 8/1M X 16) BIT
MBM29F160TE-70PFTR	FUJITSU	获取价格	16M (2M X 8/1M X 16) BIT
MBM29F160TE70TN	SPANSION	获取价格	暂无描述

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