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MBM29F200BA-90PFTR

更新时间： 2024-11-04 15:44:39

品牌	Logo	应用领域
富士通 - FUJITSU		光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
49页	1681K
描述
Flash, 256KX8, 90ns, PDSO48, PLASTIC, REVERSE, TSOP-48

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MBM29F200BA-90PFTR 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	PLASTIC, REVERSE, TSOP-48	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.92	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	90 ns	其他特性：	USER CONFIGURABLE AS 128K X 16; MINIMUM 100000 WRITE/ERASE CYCLES; AUTOMATIC WRITE
备用内存宽度：	8	启动块：	BOTTOM
命令用户界面：	YES	数据轮询：	YES
耐久性：	100000 Write/Erase Cycles	JESD-30 代码：	R-PDSO-G48
JESD-609代码：	e0	长度：	18.4 mm
内存密度：	2097152 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	8	功能数量：	1
部门数/规模：	1,2,1,3	端子数量：	48
字数：	262144 words	字数代码：	256000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：	-20 °C	组织：	256KX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP1-R
封装等效代码：	TSSOP48,.8,20	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	5 V
编程电压：	5 V	认证状态：	Not Qualified
就绪/忙碌：	YES	反向引出线：	YES
座面最大高度：	1.2 mm	部门规模：	16K,8K,32K,64K
最大待机电流：	0.0001 A	子类别：	Flash Memories
最大压摆率：	0.06 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
切换位：	YES	类型：	NOR TYPE
宽度：	12 mm	Base Number Matches：	1

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MBM29F200BC-55PFTR	FUJITSU	获取价格	2M (256K X 8/128K X 16) BIT
MBM29F200BC-55PFTR-E1	SPANSION	获取价格	Flash, 128KX16, 55ns, PDSO48, REVERSE, PLASTIC, TSOP1-48
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MBM29F200BC-70PFTN	FUJITSU	获取价格	2M (256K X 8/128K X 16) BIT
MBM29F200BC-70PFTN-E1	SPANSION	获取价格	Flash, 128KX16, 70ns, PDSO48, PLASTIC, TSOP1-48