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MBM29F200BC-90PFTR

更新时间： 2024-11-22 22:58:07

品牌	Logo	应用领域
富士通 - FUJITSU		内存集成电路光电二极管
页数	文件大小	规格书
48页	490K
描述
2M (256K X 8/128K X 16) BIT

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MBM29F200BC-90PFTR 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TSOP1	包装说明：	PLASTIC, REVERSE, TSOP1-48
针数：	48	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.25	最长访问时间：	90 ns
其他特性：	MINIMUM 100000 PROGRAM/ERASE CYCLES; ALSO CONFIGURABLE AS 128K X 16	备用内存宽度：	8
启动块：	BOTTOM	命令用户界面：	YES
数据轮询：	YES	耐久性：	100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：	R-PDSO-G48	JESD-609代码：	e0
长度：	18.4 mm	内存密度：	2097152 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	16
功能数量：	1	部门数/规模：	1,2,1,3
端子数量：	48	字数：	131072 words
字数代码：	128000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	128KX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP1-R	封装等效代码：	TSSOP48,.8,20
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	电源：	5 V
编程电压：	5 V	认证状态：	Not Qualified
就绪/忙碌：	YES	反向引出线：	YES
座面最大高度：	1.2 mm	部门规模：	16K,8K,32K,64K
最大待机电流：	0.000005 A	子类别：	Flash Memories
最大压摆率：	0.05 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	DUAL	切换位：	YES
类型：	NOR TYPE	宽度：	12 mm
Base Number Matches：	1

MBM29F200BC-90PFTR 数据手册

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FUJITSU SEMICONDUCTOR

DATA SHEET

DS05-20867-3E

FLASH MEMORY

CMOS

2M (256K × 8/128K × 16) BIT

MBM29F200TC^-55/-70/-90/MBM29F200BC^-55/-70/-90

■ FEATURES

• Single 5.0 V read, write, and erase

Minimizes system level power requirements

• Compatible with JEDEC-standard commands

Uses same software commands as E²PROMs

• Compatible with JEDEC-standard world-wide pinouts

48-pin TSOP (Package suffix: PFTN – Normal Bend Type, PFTR – Reversed Bend Type)

44-pin SOP (Package suffix: PF)

• Minimum 100,000 write/erase cycles

• High performance

55 ns maximum access time

• Sector erase architecture

One 16K byte, two 8K bytes, one 32K byte, and three 64K bytes.

Any combination of sectors can be concurrently erased. Also supports full chip erase.

• Boot Code Sector Architecture

T = Top sector

B = Bottom sector

• Embedded Erase^TMAlgorithms

Automatically pre-programs and erases the chip or any sector

• Embedded Program^TMAlgorithms

Automatically writes and verifies data at specified address

• Data Polling and Toggle Bit feature for detection of program or erase cycle completion

• Ready/Busy output (RY/BY)

Hardware method for detection of program or erase cycle completion

• Low Vcc write inhibit ≤ 3.2 V

• Erase Suspend/Resume

Suspends the erase operation to allow a read in another sector within the same device

• Hardware RESET pin

Resets internal state machine to the read mode

• Sector protection

Hardware method disables any combination of sectors from write or erase operations

• Temporary sector unprotection

Hardware method temporarily enables any combination of sectors from write on erase operations.

Embedded Erase^TMand Embedded Program^TMare trademarks of Advanced Micro Devices, Inc.

12 3 4 5 6 7...48

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与MBM29F200BC-90PFTR相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MBM29F200TA-12PFTN	FUJITSU	获取价格	Flash, 256KX8, 120ns, PDSO48, PLASTIC, TSOP-48
MBM29F200TA-12PFTR	FUJITSU	获取价格	Flash, 256KX8, 120ns, PDSO48, PLASTIC, REVERSE, TSOP-48
MBM29F200TA-12PFTR-X	FUJITSU	获取价格	Flash, 256KX8, 120ns, PDSO48, PLASTIC, REVERSE, TSOP1-48
MBM29F200TA-12PF-X	FUJITSU	获取价格	Flash, 256KX8, 120ns, PDSO44, PLASTIC, SOP-44
MBM29F200TC	FUJITSU	获取价格	2M (256K X 8/128K X 16) BIT
MBM29F200TC-55	FUJITSU	获取价格	2M (256K X 8/128K X 16) BIT
MBM29F200TC-55PF	FUJITSU	获取价格	2M (256K X 8/128K X 16) BIT
MBM29F200TC-55PF-E1	SPANSION	获取价格	Flash, 128KX16, 55ns, PDSO44, PLASTIC, SOP-44
MBM29F200TC-55PFTN	FUJITSU	获取价格	2M (256K X 8/128K X 16) BIT
MBM29F200TC-55PFTN-E1	SPANSION	获取价格	Flash, 128KX16, 55ns, PDSO48, PLASTIC, TSOP1-48

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