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MBM29F160TE-55TR

更新时间： 2024-11-04 05:10:31

品牌	Logo	应用领域
富士通 - FUJITSU		闪存存储内存集成电路光电二极管
页数	文件大小	规格书
53页	542K
描述
16M (2M X 8/1M X 16) BIT

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MBM29F160TE-55TR 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	PLASTIC, REVERSE, TSOP1-48
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.76
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	55 ns
其他特性：	CONFIGURABLE AS 1M X 16	启动块：	TOP
JESD-30 代码：	R-PDSO-G48	长度：	18.4 mm
内存密度：	16777216 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	48	字数：	2097152 words
字数代码：	2000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：	-20 °C
组织：	2MX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP1-R	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
编程电压：	5 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.2 mm	最大供电电压 (Vsup)：	5.25 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.75 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	DUAL
类型：	NOR TYPE	宽度：	12 mm
Base Number Matches：	1

MBM29F160TE-55TR 数据手册

FUJITSU SEMICONDUCTOR

DATA SHEET

DS05-20879-2E

FLASH MEMORY

CMOS

16M (2M × 8/1M × 16) BIT

MBM29F160TE/BE^-55/-70/-90

■ GENERAL DESCRIPTION

The MBM29F160TE/BE is a 16M-bit, 5.0 V-only Flash memory organized as 2M bytes of 8 bits each or 1M words

of 16 bits each. The MBM29F160TE/BE is offered in a 48-pin TSOP (I) package. The device is designed to be

programmed in-system with the standard system 5.0 V VCC supply. 12.0 V VPP is not required for write or erase

operations. The device can also be reprogrammed in standard EPROM programmers.

The standard MBM29F160TE/BE offers access times of 55 ns, 70 ns and 90 ns, allowing operation of high-speed

microprocessors without wait states. To eliminate bus contention the device has separate chip enable (CE), write

enable (WE), and output enable (OE) controls.

The MBM29F160TE/BE is pin and command set compatible with JEDEC standard E²PROMs. Commands are

written to the command register using standard microprocessor write timings. Register contents serve as input

to an internal state-machine which controls the erase and programming circuitry. Write cycles also internally latch

addresses and data needed for the programming and erase operations. Reading data out of the device is similar

to reading from 12.0 V Flash or EPROM devices.

(Continued)

■ PRODUCT LINE UP

Part No.

V^CC= 5.0 V±5%

VCC = 5.0 V±10%

MBM29F160TE/160BE

-55

—

-70

—

-90

Ordering Part No.

Max. Address Access Time (ns)

Max. CE Access Time (ns)

Max. OE Access Time (ns)

■ PACKAGES

48-pin plastic TSOP (I)

Marking Side

(FPT-48P-M20)

(FPT-48P-M19)

12 3 4 5 6 7...53

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MBM29F160TE70	SPANSION	获取价格	FLASH MEMORY CMOS 16M (2M X 8/1M X 16) BIT
MBM29F160TE-70	FUJITSU	获取价格	16M (2M X 8/1M X 16) BIT
MBM29F160TE-70PFTN	FUJITSU	获取价格	16M (2M X 8/1M X 16) BIT
MBM29F160TE-70PFTR	FUJITSU	获取价格	16M (2M X 8/1M X 16) BIT
MBM29F160TE70TN	SPANSION	获取价格	暂无描述
MBM29F160TE-70TN	FUJITSU	获取价格	16M (2M X 8/1M X 16) BIT
MBM29F160TE70TR	SPANSION	获取价格	FLASH MEMORY CMOS 16M (2M X 8/1M X 16) BIT
MBM29F160TE-70TR	FUJITSU	获取价格	16M (2M X 8/1M X 16) BIT
MBM29F160TE70TR-E1	SPANSION	获取价格	Flash, 1MX16, 70ns, PDSO48, PLASTIC, REVERSE, TSOP1-48
MBM29F160TE-90	FUJITSU	获取价格	16M (2M X 8/1M X 16) BIT

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