MBM29F160TE-70PFTR

更新时间： 2024-11-08 05:10:31

品牌	Logo	应用领域
富士通 - FUJITSU		/
页数	文件大小	规格书
53页	542K
描述
16M (2M X 8/1M X 16) BIT

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

MBM29F160TE-70PFTR 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TSOP1
包装说明：	TSOP1-R,	针数：	48
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.66
最长访问时间：	70 ns	备用内存宽度：	8
启动块：	TOP	JESD-30 代码：	R-PDSO-G48
长度：	18.4 mm	内存密度：	16777216 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	16
功能数量：	1	端子数量：	48
字数：	1048576 words	字数代码：	1000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	1MX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP1-R
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	编程电压：	5 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	DUAL	类型：	NOR TYPE
宽度：	12 mm	Base Number Matches：	1

MBM29F160TE-70PFTR 数据手册

浏览型号MBM29F160TE-70PFTR的Datasheet PDF文件第2页

浏览型号MBM29F160TE-70PFTR的Datasheet PDF文件第3页

浏览型号MBM29F160TE-70PFTR的Datasheet PDF文件第4页

浏览型号MBM29F160TE-70PFTR的Datasheet PDF文件第5页

浏览型号MBM29F160TE-70PFTR的Datasheet PDF文件第6页

浏览型号MBM29F160TE-70PFTR的Datasheet PDF文件第7页

FUJITSU SEMICONDUCTOR

DATA SHEET

DS05-20879-2E

FLASH MEMORY

CMOS

16M (2M × 8/1M × 16) BIT

MBM29F160TE/BE^-55/-70/-90

■ GENERAL DESCRIPTION

The MBM29F160TE/BE is a 16M-bit, 5.0 V-only Flash memory organized as 2M bytes of 8 bits each or 1M words

of 16 bits each. The MBM29F160TE/BE is offered in a 48-pin TSOP (I) package. The device is designed to be

programmed in-system with the standard system 5.0 V VCC supply. 12.0 V VPP is not required for write or erase

operations. The device can also be reprogrammed in standard EPROM programmers.

The standard MBM29F160TE/BE offers access times of 55 ns, 70 ns and 90 ns, allowing operation of high-speed

microprocessors without wait states. To eliminate bus contention the device has separate chip enable (CE), write

enable (WE), and output enable (OE) controls.

The MBM29F160TE/BE is pin and command set compatible with JEDEC standard E²PROMs. Commands are

written to the command register using standard microprocessor write timings. Register contents serve as input

to an internal state-machine which controls the erase and programming circuitry. Write cycles also internally latch

addresses and data needed for the programming and erase operations. Reading data out of the device is similar

to reading from 12.0 V Flash or EPROM devices.

(Continued)

■ PRODUCT LINE UP

Part No.

V^CC= 5.0 V±5%

VCC = 5.0 V±10%

MBM29F160TE/160BE

-55

—

-70

—

-90

Ordering Part No.

Max. Address Access Time (ns)

Max. CE Access Time (ns)

Max. OE Access Time (ns)

■ PACKAGES

48-pin plastic TSOP (I)

Marking Side

(FPT-48P-M20)

(FPT-48P-M19)

12 3 4 5 6 7...53

中文翻译

下载PDF

与MBM29F160TE-70PFTR相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MBM29F160TE70TN	SPANSION	获取价格	暂无描述
MBM29F160TE-70TN	FUJITSU	获取价格	16M (2M X 8/1M X 16) BIT
MBM29F160TE70TR	SPANSION	获取价格	FLASH MEMORY CMOS 16M (2M X 8/1M X 16) BIT
MBM29F160TE-70TR	FUJITSU	获取价格	16M (2M X 8/1M X 16) BIT
MBM29F160TE70TR-E1	SPANSION	获取价格	Flash, 1MX16, 70ns, PDSO48, PLASTIC, REVERSE, TSOP1-48
MBM29F160TE-90	FUJITSU	获取价格	16M (2M X 8/1M X 16) BIT
MBM29F160TE-90PFTN	FUJITSU	获取价格	16M (2M X 8/1M X 16) BIT
MBM29F160TE-90PFTR	FUJITSU	获取价格	16M (2M X 8/1M X 16) BIT
MBM29F160TE90TN	SPANSION	获取价格	Flash, 1MX16, 90ns, PDSO48, PLASTIC, TSOP1-48
MBM29F160TE-90TN	FUJITSU	获取价格	16M (2M X 8/1M X 16) BIT

与MBM29F160TE-70PFTR相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

21
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

20
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

44
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

38

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

MBM29F160TE-70PFTR

MBM29F160TE-70PFTR 技术参数

MBM29F160TE-70PFTR 数据手册

与MBM29F160TE-70PFTR相关器件

与MBM29F160TE-70PFTR相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

MBM29F160TE-70PFTR

MBM29F160TE-70PFTR 技术参数

MBM29F160TE-70PFTR 数据手册

与MBM29F160TE-70PFTR相关器件

与MBM29F160TE-70PFTR相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？