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M68AF511AM70NC6T

更新时间: 2024-09-17 22:07:59
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
18页 131K
描述
4 Mbit (512K x8), 5V Asynchronous SRAM

M68AF511AM70NC6T 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TSOP2包装说明:PLASTIC, TSOP2-32
针数:32Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:3A991.B.2.AHTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.82Is Samacsys:N
最长访问时间:70 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-G32JESD-609代码:e0
长度:20.95 mm内存密度:4194304 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
功能数量:1端子数量:32
字数:524288 words字数代码:512000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:512KX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP2封装等效代码:TSOP32,.46
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:5 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.2 mm最大待机电流:0.000009 A
最小待机电流:2 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.055 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子面层:TIN LEAD
端子形式:GULL WING端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:10.16 mmBase Number Matches:1

M68AF511AM70NC6T 数据手册

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M68AF511A  
4 Mbit (512K x8), 5V Asynchronous SRAM  
FEATURES SUMMARY  
SUPPLY VOLTAGE: 4.5 to 5.5V  
Figure 1. Packages  
512K x 8 bits SRAM with OUTPUT ENABLE  
EQUAL CYCLE and ACCESS TIMES: 55ns  
LOW STANDBY CURRENT  
32  
LOW V  
DATA RETENTION: 2V  
CC  
TRI-STATE COMMON I/O  
1
LOW ACTIVE and STANDBY POWER  
TSOP32 Type II (NC)  
SO32 (MC)  
October 2002  
1/18  

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