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M68AF127BL55N1

更新时间: 2024-09-17 22:22:35
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 静态存储器
页数 文件大小 规格书
23页 376K
描述
1Mbit 128K x8, 5V Asynchronous SRAM

M68AF127BL55N1 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TSOP包装说明:8 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-32
针数:32Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.87最长访问时间:55 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDSO-G32
JESD-609代码:e0长度:18.4 mm
内存密度:1048576 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8功能数量:1
端子数量:32字数:131072 words
字数代码:128000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:128KX8输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP1
封装等效代码:TSSOP32,.8,20封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:5 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:1.2 mm
最大待机电流:0.000015 A最小待机电流:4.5 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.02 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子节距:0.5 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:8 mm
Base Number Matches:1

M68AF127BL55N1 数据手册

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M68AF127B  
1Mbit (128K x8), 5V Asynchronous SRAM  
FEATURES SUMMARY  
SUPPLY VOLTAGE: 4.5 to 5.5V  
Figure 1. Packages  
128K x 8 bits SRAM with OUTPUT ENABLE  
EQUAL CYCLE and ACCESS TIMES: 55ns  
LOW STANDBY CURRENT  
LOW V DATA RETENTION: 2V  
CC  
TRI-STATE COMMON I/O  
LOW ACTIVE and STANDBY POWER  
SO32 (MC)  
32  
1
PDIP32 (B)  
TSOP32 (NK)  
8 x 13.4mm  
TSOP32 (N)  
8 x 20mm  
September 2004  
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