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M68AF127BL70NK1T

更新时间： 2024-11-06 22:07:59

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M68AF127BL70NK1T 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP	包装说明：	8 X 13.40 MM, TSOP-32
针数：	32	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.87	最长访问时间：	70 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDSO-G32
JESD-609代码：	e0	长度：	11.8 mm
内存密度：	1048576 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	32	字数：	131072 words
字数代码：	128000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	128KX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSSOP
封装等效代码：	TSSOP32,.56,20	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
最大待机电流：	0.0000045 A	最小待机电流：	2 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.015 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	8 mm
Base Number Matches：	1

M68AF127B

1Mbit (128K x8), 5V Asynchronous SRAM

FEATURES SUMMARY

■

SUPPLY VOLTAGE: 4.5 to 5.5V

Figure 1. Packages

128K x 8 bits SRAM with OUTPUT ENABLE

EQUAL CYCLE and ACCESS TIMES: 55ns

LOW STANDBY CURRENT

LOW V DATA RETENTION: 2V

TRI-STATE COMMON I/O

LOW ACTIVE and STANDBY POWER

SO32 (MC)

PDIP32 (B)

TSOP32 (NK)

8 x 13.4mm

TSOP32 (N)

8 x 20mm

September 2004

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