5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | DIP | 包装说明： | 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32 |
| 针数： | 32 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.41 |
| 风险等级： | 5.82 | Is Samacsys： | N |
| 最长访问时间： | 55 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-PDIP-T32 | JESD-609代码： | e3 |
| 长度： | 42.035 mm | 内存密度： | 1048576 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 32 |
| 字数： | 131072 words | 字数代码： | 128000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 128KX8 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP32,.6 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 4.83 mm | 最大待机电流： | 0.0000045 A |
| 最小待机电流： | 2 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.02 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 15.24 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| M68AF127BM55B1T | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
1Mbit 128K x8, 5V Asynchronous SRAM |
|
| M68AF127BM55B6 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
1Mbit 128K x8, 5V Asynchronous SRAM |
|
| M68AF127BM55B6T | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
1Mbit 128K x8, 5V Asynchronous SRAM |
|
| M68AF127BM55MC1 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
1Mbit 128K x8, 5V Asynchronous SRAM |
|
| M68AF127BM55MC1T | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
1Mbit 128K x8, 5V Asynchronous SRAM |
|
| M68AF127BM55MC6 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
1Mbit 128K x8, 5V Asynchronous SRAM |
|
| M68AF127BM55MC6T | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
1Mbit 128K x8, 5V Asynchronous SRAM |
|
| M68AF127BM55N1 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
1Mbit 128K x8, 5V Asynchronous SRAM |
|
| M68AF127BM55N1T | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
1Mbit 128K x8, 5V Asynchronous SRAM |
|
| M68AF127BM55N6 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
1Mbit 128K x8, 5V Asynchronous SRAM |
|
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
