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| 意法半导体 - STMICROELECTRONICS |  |
静态存储器 |
| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 23页 | 376K |  |
| 描述 | ||
| 1Mbit 128K x8, 5V Asynchronous SRAM | ||
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | DIP, | 针数： | 32 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.82 |
| 最长访问时间： | 55 ns | JESD-30 代码： | R-PDIP-T32 |
| 长度： | 42.035 mm | 内存密度： | 1048576 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 32 |
| 字数： | 131072 words | 字数代码： | 128000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 128KX8 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | DIP |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 4.83 mm | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 宽度： | 15.24 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| M68AF127BL55MC1 | STMICROELECTRONICS |
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1Mbit 128K x8, 5V Asynchronous SRAM |
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| M68AF127BL55MC1T | STMICROELECTRONICS |
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1Mbit 128K x8, 5V Asynchronous SRAM |
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| M68AF127BL55MC6 | STMICROELECTRONICS |
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1Mbit 128K x8, 5V Asynchronous SRAM |
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| M68AF127BL55MC6T | STMICROELECTRONICS |
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1Mbit 128K x8, 5V Asynchronous SRAM |
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| M68AF127BL55N1 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
1Mbit 128K x8, 5V Asynchronous SRAM |
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| M68AF127BL55N1T | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
1Mbit 128K x8, 5V Asynchronous SRAM |
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| M68AF127BL55N6 | STMICROELECTRONICS |
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1Mbit 128K x8, 5V Asynchronous SRAM |
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| M68AF127BL55N6T | STMICROELECTRONICS |
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1Mbit 128K x8, 5V Asynchronous SRAM |
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| M68AF127BL55NK1 | STMICROELECTRONICS |
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1Mbit 128K x8, 5V Asynchronous SRAM |
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| M68AF127BL55NK1T | STMICROELECTRONICS |
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1Mbit 128K x8, 5V Asynchronous SRAM |
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