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M5M29JB160AVP-80

更新时间： 2024-11-09 19:59:23
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI 光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
15页 144K
描述
Flash, 1MX16, 80ns, PDSO48, 12 X 20 MM, 0.50 MM PITCH, TSOP1-48

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M5M29JB160AVP-80 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSOP1包装说明：12 X 20 MM, 0.50 MM PITCH, TSOP1-48
针数：48Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.92最长访问时间：80 ns
备用内存宽度：8启动块：BOTTOM
命令用户界面：YES数据轮询：NO
JESD-30 代码：R-PDSO-G48JESD-609代码：e0
长度：18.4 mm内存密度：16777216 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：16
功能数量：1部门数/规模：1,2,1,31
端子数量：48字数：1048576 words
字数代码：1000000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：1MX16封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSOP1封装等效代码：TSSOP48,.8,20
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
页面大小：128/256 words并行/串行：PARALLEL
电源：5 V编程电压：5 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.2 mm
部门规模：16K,8K,32K,64K最大待机电流：0.0001 A
子类别：Flash Memories最大压摆率：0.04 mA
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子节距：0.5 mm端子位置：DUAL
切换位：NO类型：NOR TYPE
宽度：12 mmBase Number Matches：1

M5M29JB160AVP-80 数据手册

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MITSUBISHI LSIs  
M5M29JB/T160AVP-80,-10  
16,777,216-BIT (2,097,152-WORDBY8-BIT/ 1,048,576-WORDBY16-BIT)
CMOS 5.0V-ONLY, BLOCK ERASE FLASH MEMORY  
DESCRIPTION  
The MITSUBISHI M5M29JB/T160A are 5.0V-only high speed  
16,777,216-bit CMOS Flash Memories suitable for mobile and  
personal computing, and communication products.  
PIN CONFIGURATION (TOP VIEW)  
The M5M29J160A are fabricated by CMOS technology for the  
peripheral circuits and DINOR(Divided bit line NOR) architecture  
for the memory cells, and are available in 48pin TSOP(I).  
1
48  
47  
46  
45  
44  
43  
42  
41  
40  
39  
38  
37  
36  
35  
34  
33  
32  
31  
30  
29  
28  
27  
26  
25  
A16  
A15  
BYTE#  
2
A14  
3
A13  
GND  
DQ15/A-1  
A12  
A11  
A10  
A9  
4
5
DQ7  
6
DQ14  
7
DQ6  
8
A8  
A19  
NC  
WE#  
RP#  
NC  
WP#  
NC  
A18  
A17  
A7  
A6  
A5  
A4  
A3  
A2  
A1  
DQ13  
FEATURES  
Organization  
9
DQ5  
.................................  
.................................  
1,048,576 word x 16bit  
2,097,152 word x 8 bit  
VCC = 4.5V ~ 5.5V  
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
17  
18  
19  
20  
21  
22  
23  
24  
DQ12  
DQ4  
VCC  
DQ11  
DQ3  
DQ10  
..............................  
M5M29JB/T160AVP  
Supply voltage ................................  
...............  
DQ2  
Access time  
80/100ns  
DQ9  
DQ1  
DQ8  
DQ0  
Power Dissipation  
Read  
.................................  
.................................  
.................................  
.................................  
137.5 mW (Max.)  
165 mW (Max.)  
OE#  
GND  
Program  
CE#  
A0  
Erase  
220 mW (Max.)  
Standby  
550 uW (Max.)TBD  
250 uW (typ.)TBD  
..................  
Deep power down mode  
48P3E-B(12 x 20mm 48pin TSOP type-I :VP/Normal bend)  
NC : NO CONNECTION  
Auto program  
.................................  
.................................  
Program Time  
Program Unit  
4ms (typ.)  
128word(256byte)  
Auto Erase  
Erase time  
Erase Unit  
.................................  
.................................  
..............................  
..............................  
40 ms (typ.)  
Boot block  
8Kword / 16Kbyte x 1  
4Kword / 8Kbyte x 2  
16Kword / 32Kbyte x 1  
32Kword / 64Kbyte x 31  
Parameter block  
Main block  
Erase block  
.......................  
.......................  
M5M29JB160A  
M5M29JT160A  
Bottom boot block type  
Top boot block type  
Other Functions  
Software Command Control  
Selective Block Lock  
Erase Suspend/Resume  
Program Suspend/Resume  
Status Register Read  
Package  
48-Lead 12mmx 20mm TSOP (type-I) :0.5mm pin pitch  
APPLICATION  
EDP, Telecommunication and various embedded applications.  
1
May. 1998 , Rev.1.4  
1234567...15

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与M5M29JB160AVP-80相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M5M29JT160AVP-10 MITSUBISHI

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 		Flash, 1MX16, 100ns, PDSO48, 12 X 20 MM, 0.50 MM PITCH, TSOP1-48
M5M29JT160AVP-80 MITSUBISHI

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 		Flash, 1MX16, 80ns, PDSO48, 12 X 20 MM, 0.50 MM PITCH, TSOP1-48
M5M29KB RENESAS

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 		CMOS 3.3V-ONLY, BLOCK ERASE FLASH MEMORY
M5M29KB/T331AVP RENESAS

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 		CMOS 3.3V-ONLY, BLOCK ERASE FLASH MEMORY
M5M29KB331ATP RENESAS

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 		2MX16 FLASH 3.3V PROM, 70ns, PDSO52, 0.350 INCH, 0.40 MM PITCH, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP2-
M5M29KB331AVP RENESAS

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 		IC,EEPROM,NOR FLASH,2MX16/4MX8,CMOS,TSSOP,48PIN,PLASTIC
M5M29KB641ATP RENESAS

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 		4MX16 FLASH 3.3V PROM, 70ns, PDSO52, 0.350 INCH, 0.40 MM PITCH, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP2-
M5M29KB641AVP RENESAS

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 		4MX16 FLASH 3.3V PROM, 70ns, PDSO48, 12 X 20 MM, 0.50 MM PITCH, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP1-
M5M29KB800AVP-10 MITSUBISHI

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 		Flash, 512KX16, 100ns, PDSO48
M5M29KB800AVP-10I MITSUBISHI

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 		Flash, 512KX16, 100ns, PDSO48, 12 X 20 MM, 0.50 MM PITCH, PLASTIC, TSOP1-48

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