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M59MR032D100ZC6T

更新时间： 2024-09-25 20:34:19
品牌 Logo 应用领域
恒忆 - NUMONYX 内存集成电路
页数 文件大小 规格书
49页 352K
描述
Flash, 2MX16, 14ns, PBGA54, 0.50 MM PITCH, LFBGA-54

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M59MR032D100ZC6T 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：BGA
包装说明：0.50 MM PITCH, LFBGA-54针数：54
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：3A991.B.1.A
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：5.6
Is Samacsys：N最长访问时间：14 ns
启动块：BOTTOMJESD-30 代码：R-PBGA-B54
长度：12 mm内存密度：33554432 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：16
功能数量：1端子数量：54
字数：2097152 words字数代码：2000000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：2MX16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TFBGA
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行：PARALLEL编程电压：1.8 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)：2 V最小供电电压 (Vsup)：1.65 V
标称供电电压 (Vsup)：1.8 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子形式：BALL端子节距：0.5 mm
端子位置：BOTTOM类型：NOR TYPE
宽度：7 mmBase Number Matches：1

M59MR032D100ZC6T 数据手册

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M59MR032C  
M59MR032D  
32 Mbit (2Mb x16, Mux I/O, Dual Bank, Burst)  
1.8V Supply Flash Memory  
■ SUPPLY VOLTAGE  
– V = V = 1.65V to 2.0V for Program,  
DD  
DDQ  
Erase and Read  
– V = 12V for fast Program (optional)  
PP  
■ MULTIPLEXED ADDRESS/DATA  
■ SYNCHRONOUS / ASYNCHRONOUS READ  
– Configurable Burst mode Read  
– Page mode Read (4 Words Page)  
– Random Access: 100ns  
BGA  
µBGA  
µBGA46 (GC)  
10 x 4 ball array  
LFBGA54 (ZC)  
10 x 4 ball array  
■ PROGRAMMING TIME  
– 10µs by Word typical  
– Double Word Programming Option  
■ MEMORY BLOCKS  
– Dual Bank Memory Array: 8 Mbit - 24 Mbit  
– Parameter Blocks (Top or Bottom location)  
■ DUAL BANK OPERATIONS  
Figure 1. Logic Diagram  
– Read within one Bank while Program or  
Erase within the other  
V
V
V
DD DDQ PP  
– No delay between Read and Write operations  
■ BLOCK PROTECTION/UNPROTECTION  
– All Blocks protected at Power-up  
5
16  
A16-A20  
ADQ0-ADQ15  
– Any combination of Blocks can be protected  
■ COMMON FLASH INTERFACE (CFI)  
■ 64 bit SECURITY CODE  
W
E
WAIT  
BINV  
M59MR032C  
M59MR032D  
G
■ ERASE SUSPEND and RESUME MODES  
RP  
WP  
L
■ 100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per  
BLOCK  
■ ELECTRONIC SIGNATURE  
– Manufacturer Code: 20h  
K
– Top Device Code, M59MR032C: A4h  
– Bottom Device Code, M59MR032D: A5h  
V
SS  
AI90109  
April 2001  
1/49  
1234567...49

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M59MR032D120GC6 STMICROELECTRONICS

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 		暂无描述
M59MR032D120GC6 NUMONYX

获取价格

 		Flash, 2MX16, 18ns, PBGA46, 0.50 MM PITCH, MICRO, BGA-46
M59MR032D120GC6T STMICROELECTRONICS

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 		32 Mbit 2Mb x16, Mux I/O, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory
M59MR032D120ZC6 NUMONYX

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 		2MX16 FLASH 1.8V PROM, 18ns, PBGA54, 0.50 MM PITCH, LFBGA-54
M59MR032D120ZC6T STMICROELECTRONICS

获取价格

 		32 Mbit 2Mb x16, Mux I/O, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory
M59MR032D120ZC6T NUMONYX

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 		Flash, 2MX16, 18ns, PBGA54, 0.50 MM PITCH, LFBGA-54
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