M59MR032D120GC6T

更新时间： 2024-09-24 22:07:27

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		闪存存储
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32 Mbit 2Mb x16, Mux I/O, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory

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M59MR032D120GC6T 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	BGA	包装说明：	0.50 MM PITCH, MICRO, BGA-46
针数：	46	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	3A991.B.1.A	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.6	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	18 ns	启动块：	BOTTOM
命令用户界面：	YES	通用闪存接口：	YES
数据轮询：	YES	JESD-30 代码：	R-PBGA-B46
长度：	10.53 mm	内存密度：	33554432 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	16
功能数量：	1	部门数/规模：	8,63
端子数量：	46	字数：	2097152 words
字数代码：	2000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	2MX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	VFBGA	封装等效代码：	BGA46,8X14,40/20
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
页面大小：	4 words	并行/串行：	PARALLEL
电源：	1.8 V	编程电压：	1.8 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1 mm
部门规模：	4K,32K	最大待机电流：	0.000005 A
子类别：	Flash Memories	最大压摆率：	0.05 mA
最大供电电压 (Vsup)：	2 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.65 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子形式：	BALL	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	BOTTOM	切换位：	YES
类型：	NOR TYPE	宽度：	6.29 mm
Base Number Matches：	1

M59MR032D120GC6T 数据手册

M59MR032C

M59MR032D

32 Mbit (2Mb x16, Mux I/O, Dual Bank, Burst)

1.8V Supply Flash Memory

■ SUPPLY VOLTAGE

– V = V = 1.65V to 2.0V for Program,

DDQ

Erase and Read

– V = 12V for fast Program (optional)

■ MULTIPLEXED ADDRESS/DATA

■ SYNCHRONOUS / ASYNCHRONOUS READ

– Configurable Burst mode Read

– Page mode Read (4 Words Page)

– Random Access: 100ns

BGA

µBGA

µBGA46 (GC)

10 x 4 ball array

LFBGA54 (ZC)

10 x 4 ball array

■ PROGRAMMING TIME

– 10µs by Word typical

– Double Word Programming Option

■ MEMORY BLOCKS

– Dual Bank Memory Array: 8 Mbit - 24 Mbit

– Parameter Blocks (Top or Bottom location)

■ DUAL BANK OPERATIONS

Figure 1. Logic Diagram

– Read within one Bank while Program or

Erase within the other

DD DDQ PP

– No delay between Read and Write operations

■ BLOCK PROTECTION/UNPROTECTION

– All Blocks protected at Power-up

A16-A20

ADQ0-ADQ15

– Any combination of Blocks can be protected

■ COMMON FLASH INTERFACE (CFI)

■ 64 bit SECURITY CODE

WAIT

BINV

M59MR032C

M59MR032D

■ ERASE SUSPEND and RESUME MODES

■ 100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per

BLOCK

■ ELECTRONIC SIGNATURE

– Manufacturer Code: 20h

– Top Device Code, M59MR032C: A4h

– Bottom Device Code, M59MR032D: A5h

AI90109

April 2001

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