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M48Z32V-70MT1TR

更新时间: 2024-11-13 20:48:59
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
16页 107K
描述
32KX8 NON-VOLATILE SRAM, 70ns, PDSO44, 0.330 INCH, PLASTIC, SOIC-44

M48Z32V-70MT1TR 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:SOIC
包装说明:0.330 INCH, PLASTIC, SOIC-44针数:44
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.84
最长访问时间:70 nsJESD-30 代码:R-PDSO-G44
长度:18.1 mm内存密度:262144 bit
内存集成电路类型:NON-VOLATILE SRAM内存宽度:8
功能数量:1端子数量:44
字数:32768 words字数代码:32000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:32KX8
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SSOP
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, SHRINK PITCH
并行/串行:PARALLEL认证状态:Not Qualified
座面最大高度:3.05 mm最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):3 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:GULL WING
端子节距:0.8 mm端子位置:DUAL
宽度:8.56 mmBase Number Matches:1

M48Z32V-70MT1TR 数据手册

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M48Z32V  
®
3.3V, 256 Kbit (32 Kbit x 8) ZEROPOWER SRAM  
PRELIMINARY DATA  
FEATURES SUMMARY  
INTEGRATED, ULTRA LOW POWER SRAM,  
Figure 2. 44-pin SOIC Package  
and POWER-FAIL CONTROL CIRCUIT  
READ CYCLE TIME EQUALS WRITE CYCLE  
TIME  
AUTOMATIC POWER-FAIL CHIP DESELECT  
44  
and WRITE PROTECTION  
1
WRITE PROTECT VOLTAGES:  
(V  
= Power-fail Deselect Voltage)  
PFD  
SOH44 (MT)  
– M48Z32V: V = 3.0 to 3.6V;  
CC  
2.7V V  
3.0V  
PFD  
ULTRA-LOW STANDBY CURRENT  
Figure 1. Logic Diagram  
Table 1. Signal Names  
V
B +  
CC  
A0-A14  
Address Inputs  
DQ0-DQ7  
Data Inputs / Outputs  
Chip Enable Input  
Output Enable Input  
WRITE Enable Input  
Supply Voltage  
15  
8
E
G
W
A0-A14  
DQ0-DQ7  
W
E
M48Z32V  
V
CC  
V
SS  
Ground  
G
B +  
NC  
Positive Battery Pin  
Not Connected  
V
SS  
AI04787  
May 2002  
1/16  
This is preliminary information on a new product now in development or undergoing evaluation. Details are subject to change without notice.  

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