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M48Z35-70MH1E PDF预览

M48Z35-70MH1E

更新时间： 2024-09-25 03:10:07
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
23页 219K
描述
256Kbit (32Kbit x 8) ZEROPOWER SRAM

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M48Z35-70MH1E 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SOP, SOP28,.5Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.5Is Samacsys：N
最长访问时间：70 nsJESD-30 代码：R-PDSO-G28
长度：18.1 mm内存密度：262144 bit
内存集成电路类型：NON-VOLATILE SRAM MODULE内存宽度：8
功能数量：1端子数量：28
字数：32768 words字数代码：32000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：32KX8
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOP
封装等效代码：SOP28,.5封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE并行/串行：PARALLEL
电源：5 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：3.05 mm最大待机电流：0.003 A
子类别：SRAMs最大压摆率：0.05 mA
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.75 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子形式：GULL WING端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL宽度：8.56 mm
Base Number Matches：1

M48Z35-70MH1E 数据手册

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M48Z35  
M48Z35Y  
256Kbit (32Kbit x 8) ZEROPOWER® SRAM  
Features  
■ Integrated, ultra low power SRAM, power-fail  
control circuit, and battery  
■ READ cycle time equals WRITE cycle time  
28  
■ Automatic power-fail chip deselect and WRITE  
1
protection  
■ WRITE protect voltages:  
PCDIP28 (PC)  
(V  
= Power-fail Deselect Voltage)  
Battery CAPHAT  
PFD  
– M48Z35: V = 4.75 to 5.5V  
CC  
4.5V ≤ V  
≤ 4.75V  
PFD  
– M48Z35Y: 4.5 to 5.5V  
SNAPHAT (SH)  
Battery  
4.2v ≤ V ≤ 4.5v  
pfd  
■ Self-contained battery in the CAPHAT™ DIP  
package  
■ Packaging includes a 28-lead SOIC and  
®
SNAPHAT top (to be ordered separately)  
■ Pin and function compatible with JEDEC  
standard 32K x 8 SRAMs  
28  
■ SOIC package provides direct connection for a  
1
SNAPHAT top which contains the battery  
■ RoHS compliant  
SOH28 (MH)  
–
Lead-free second level interconnect  
November 2007  
Rev 7  
1/23  
www.st.com  
1
1234567...23

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M48Z35-70MH1E 替代型号

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