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M48Z32V-35MT1TR

更新时间: 2024-11-12 22:20:43
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 静态存储器
页数 文件大小 规格书
16页 106K
描述
3.3V, 256 Kbit 32 Kbit x 8 ZEROPOWER SRAM

M48Z32V-35MT1TR 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SOIC包装说明:PLASTIC, SOIC-44
针数:44Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.81最长访问时间:35 ns
JESD-30 代码:R-PDSO-G44JESD-609代码:e0
长度:18.1 mm内存密度:262144 bit
内存集成电路类型:NON-VOLATILE SRAM内存宽度:8
功能数量:1端子数量:44
字数:32768 words字数代码:32000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:32KX8
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SSOP
封装等效代码:SOP44,.5,32封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, SHRINK PITCH并行/串行:PARALLEL
电源:3.3 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:3.05 mm最大待机电流:0.0005 A
子类别:SRAMs最大压摆率:0.045 mA
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):3 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:GULL WING端子节距:0.8 mm
端子位置:DUAL宽度:8.56 mm
Base Number Matches:1

M48Z32V-35MT1TR 数据手册

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M48Z32V  
®
3.3V, 256 Kbit (32 Kbit x 8) ZEROPOWER SRAM  
FEATURES SUMMARY  
INTEGRATED, ULTRA LOW POWER SRAM,  
Figure 2. 44-pin, Hatless SOIC Package  
and POWER-FAIL CONTROL CIRCUIT  
READ CYCLE TIME EQUALS WRITE CYCLE  
TIME  
AUTOMATIC POWER-FAIL CHIP DESELECT  
44  
and WRITE PROTECTION  
1
WRITE PROTECT VOLTAGES:  
(V  
= Power-fail Deselect Voltage)  
PFD  
SOH44 (MT)  
– M48Z32V: 2.7V V  
3.0V  
PFD  
ULTRA-LOW STANDBY CURRENT  
Figure 1. Logic Diagram  
Table 1. Signal Names  
V
B +  
CC  
A0-A14  
Address Inputs  
DQ0-DQ7  
Data Inputs / Outputs  
Chip Enable Input  
Output Enable Input  
WRITE Enable Input  
Supply Voltage  
15  
8
A0-A14  
DQ0-DQ7  
E
G
W
W
E
M48Z32V  
V
CC  
G
V
SS  
Ground  
B +  
NC  
Positive Battery Pin  
Not Connected  
V
SS  
AI04787  
November 2002  
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