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M29F800DT90N6T

更新时间： 2024-11-24 20:33:23
品牌 Logo 应用领域
恒忆 - NUMONYX 光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
39页 584K
描述
Flash, 512KX16, 70ns, PDSO48, 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48

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M29F800DT90N6T 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TSOP
包装说明：12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48针数：48
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：5.14
Is Samacsys：N最长访问时间：70 ns
其他特性：TOP BOOT BLOCK备用内存宽度：8
启动块：TOPJESD-30 代码：R-PDSO-G48
长度：18.4 mm内存密度：8388608 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：16
功能数量：1端子数量：48
字数：524288 words字数代码：512000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：512KX16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP1
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：PARALLEL编程电压：5 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子形式：GULL WING端子节距：0.5 mm
端子位置：DUAL类型：NOR TYPE
宽度：12 mmBase Number Matches：1

M29F800DT90N6T 数据手册

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M29F800DT  
M29F800DB  
8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block)  
5V Supply Flash Memory  
FEATURES SUMMARY  
■ SUPPLY VOLTAGE  
Figure 1. Packages  
– V = 5V ±10% for Program, Erase and Read  
CC  
■ ACCESS TIME: 55, 70, 90ns  
■ PROGRAMMING TIME  
– 10µs per Byte/Word typical  
■ 19 MEMORY BLOCKS  
– 1 Boot Block (Top or Bottom Location)  
– 2 Parameter and 16 Main Blocks  
■ PROGRAM/ERASE CONTROLLER  
– Embedded Byte/Word Program algorithms  
■ ERASE SUSPEND and RESUME MODES  
SO44 (M)  
– Read and Program another Block during  
Erase Suspend  
TSOP48 (N)  
12 x 20mm  
■ UNLOCK BYPASS PROGRAM COMMAND  
– Faster Production/Batch Programming  
■ TEMPORARY BLOCK UNPROTECTION  
MODE  
■ COMMON FLASH INTERFACE  
– 64 bit Security Code  
■ LOW POWER CONSUMPTION  
– Standby and Automatic Standby  
■ 100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per  
BLOCK  
■ ELECTRONIC SIGNATURE  
– Manufacturer Code: 0020h  
– Top Device Code M29F800DT: 22ECh  
– Bottom Device Code M29F800DB: 2258h  
July 2003  
1/39  
1234567...39

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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