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M29F800FT55M3S2

更新时间: 2024-11-24 20:57:27
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恒忆 - NUMONYX 光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
65页 1669K
描述
Flash, 512KX16, 55ns, PDSO44, 0.500 INCH, PLASTIC, SOP-44

M29F800FT55M3S2 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:SOIC
包装说明:0.500 INCH, PLASTIC, SOP-44针数:44
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.51风险等级:5.16
Is Samacsys:N最长访问时间:55 ns
其他特性:TOP BOOT BLOCK备用内存宽度:8
启动块:TOPJESD-30 代码:R-PDSO-G44
长度:28.5 mm内存密度:8388608 bit
内存集成电路类型:FLASH内存宽度:16
功能数量:1端子数量:44
字数:524288 words字数代码:512000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-40 °C组织:512KX16
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOP
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:PARALLEL编程电压:5 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:3 mm
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:AUTOMOTIVE
端子形式:GULL WING端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL类型:NOR TYPE
宽度:12.6 mmBase Number Matches:1

M29F800FT55M3S2 数据手册

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M29F 200FT, 400FT, 800FT, 160FT  
M29F 200FB, 400FB, 800FB, 160FB  
Top / Bottom Boot Block  
5 V Supply Flash Memory  
Features  
„ Supply voltage  
– VCC = 5 V  
„ Access time: 55 ns  
„ Program / Erase controller  
– Embedded byte/word program algorithms  
TSOP48 (N)  
12 x 20 mm  
„ Erase Suspend and Resume modes  
„ Low power consumption  
– Standby and Automatic Standby  
„ 100,000 Program/Erase cycles per block  
„ Electronic signature  
– Manufacturer code: 0x01  
Top Device codes:  
M29F200FT: 0x2251  
M29F400FT: 0x2223  
M29F800FT: 0x22D6  
M29F160FT: 0x22D2  
SO44 (M)  
– Bottom Device codes:  
„ Automotive device grade 3:  
M29F200FB: 0x2257  
M29F400FB: 0x22AB  
M29F800FB: 0x2258  
M29F160FB: 0x22D8  
Temperature: –40 to 125 °C  
„ Automotive device grade 6:  
Temperature: –40 to 85 °C  
„ Automotive grade certified (AEC-Q100)  
„ RoHS packages available  
– SO44  
– TSOP48  
April 2009  
Rev 3  
1/65  
www.numonyx.com  
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