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M29F800FT55M3E2

更新时间： 2024-11-05 15:17:43

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镁光 - MICRON		/
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56页	679K
描述
Top/Bottom Boot Block, 5V, Parallel NOR Flash Memory

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M29F800FT55M3E2 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOIC
包装说明：	SOP-44	针数：	44
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.55
最长访问时间：	55 ns	其他特性：	TOP BOOT BLOCK
备用内存宽度：	8	启动块：	TOP
命令用户界面：	YES	通用闪存接口：	YES
数据轮询：	YES	JESD-30 代码：	R-PDSO-G44
长度：	28.5 mm	内存密度：	8388608 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	16
功能数量：	1	部门数/规模：	1,2,1,15
端子数量：	44	字数：	524288 words
字数代码：	512000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	512KX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOP	封装等效代码：	SOP44,.63
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	5 V	编程电压：	5 V
认证状态：	Not Qualified	就绪/忙碌：	YES
筛选级别：	AEC-Q100	座面最大高度：	3 mm
部门规模：	16K,8K,32K,64K	最大待机电流：	0.00012 A
子类别：	Flash Memories	最大压摆率：	0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	AUTOMOTIVE
端子形式：	GULL WING	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
切换位：	YES	类型：	NOR TYPE
宽度：	12.6 mm	Base Number Matches：	1

M29F800FT55M3E2 数据手册

M29FxxxFT/B

Features

Micron Parallel NOR Flash Embedded

Memory

Top/Bottom Boot Block 5V Supply

M29F200FT/B, M29F400FT/B, M29F800FT/B, M29F160FT/B

• RoHS-compliant packages

– TSOP48

– SO44 (16Mb not available for this package)

• Automotive device grade 3

– Temperature: –40 to +125°C

Features

• Supply voltage

– V_CC= 5V

• Access time: 55ns

• Program/erase controller

– Embedded byte/word program algorithms

• Erase suspend and resume modes

• Low power consumption

– Standby and automatic standby

• 100,000 PROGRAM/ERASE cycles per block

• Electronic signature

• Automotive device grade 6

– Temperature: –40 to +85°C

• Automotive grade certified (AEC-Q100)

– Manufacturer code: 0x01h

• Top device codes

– M29F200FT: 0x2251

– M29F400FT: 0x2223

– M29F800FT: 0x22D6

– M29F160FT: 0x22D2

• Bottom device codes

– M29F200FB: 0x2257

– M29F400FB: 0x22AB

– M29F800FB: 0x2258

– M29F160FB: 0x22D8

CCMTD-1725822587-8401

m29fxxxf/t_2mb-16mb.pdf - Rev. C 5/18 EN

Micron Technology, Inc. reserves the right to change products or specifications without notice.

Products and specifications discussed herein are subject to change by Micron without notice.

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M29F800FT55M3E2 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
M29F800FT55M3F2	MICRON	完全替代	Top/Bottom Boot Block, 5V, Parallel NOR Flash Memory

与M29F800FT55M3E2相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
M29F800FT55M3F2	MICRON	获取价格	Top/Bottom Boot Block, 5V, Parallel NOR Flash Memory
M29F800FT55M3S2	NUMONYX	获取价格	Flash, 512KX16, 55ns, PDSO44, 0.500 INCH, PLASTIC, SOP-44
M29F800FT55N3E2	MICRON	获取价格	Top/Bottom Boot Block, 5V, Parallel NOR Flash Memory
M29F800FT55N3F2	MICRON	获取价格	Top/Bottom Boot Block, 5V, Parallel NOR Flash Memory
M29F800FT5AM6F2	MICRON	获取价格	Top/Bottom Boot Block, 5V, Parallel NOR Flash Memory
M29F800FT5AM6S2	NUMONYX	获取价格	Flash, 512KX16, 55ns, PDSO44, 0.500 INCH, PLASTIC, SOP-44
M29F800FT5AN6E2	MICRON	获取价格	Top/Bottom Boot Block, 5V, Parallel NOR Flash Memory
M29F800FT5AN6F2	MICRON	获取价格	Top/Bottom Boot Block, 5V, Parallel NOR Flash Memory
M29KDCL3-32T	STMICROELECTRONICS	获取价格	32 Mbit 2Mb x16, Uniform Block 3V Supply Ligh
M29KW016E	STMICROELECTRONICS	获取价格	16 Mbit (1Mb x16, Uniform Block) 3V Supply LightFlash Memory

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