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M29DW128G70NF6E PDF预览

M29DW128G70NF6E

更新时间： 2024-10-26 20:52:11
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器光电二极管内存集成电路闪存
页数 文件大小 规格书
85页 736K
描述
IC,EEPROM,NOR FLASH,8MX16,CMOS,TSSOP,56PIN,PLASTIC

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M29DW128G70NF6E 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：TSSOP, TSSOP56,.8,20Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.75最长访问时间：70 ns
启动块：BOTTOM/TOP命令用户界面：YES
通用闪存接口：YES数据轮询：YES
JESD-30 代码：R-PDSO-G56内存密度：134217728 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：16
部门数/规模：8,62端子数量：56
字数：8388608 words字数代码：8000000
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：8MX16封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSSOP封装等效代码：TSSOP56,.8,20
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
页面大小：8 words并行/串行：PARALLEL
电源：3/3.3 V认证状态：Not Qualified
就绪/忙碌：YES部门规模：32K,128K
最大待机电流：0.0001 A子类别：Flash Memories
最大压摆率：0.015 mA表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子形式：GULL WING端子节距：0.5 mm
端子位置：DUAL切换位：YES
类型：NOR TYPEBase Number Matches：1

M29DW128G70NF6E 数据手册

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M29DW128G  
128 Mbit (8 Mb x 16, multiple bank, page, dual boot)  
3 V supply Flash memory  
Features  
■ Supply voltage  
– V = 2.7 to 3.6 V for program, erase and  
CC  
read  
– V  
– V  
= 1.65 to 3.6 V for I/O buffers  
= 9 V for fast program (optional)  
CCQ  
PPH  
■ Asynchronous random/page read  
– Page width: 8 words  
TSOP56 (NF)  
14 x 20 mm  
– Page access: 25 ns  
– Random access: 60 or 70, 80 ns  
BGA  
■ Enhanced Buffered Program commands  
– 256 words  
■ Programming time  
– 15 µs per word (typical)  
– 32-word write buffer  
TBGA64 (ZA)  
10 x 13 mm  
– Chip program time: 5 s with V  
and 8 s  
PPH  
■ 100,000 program/erase cycles per block  
without V  
PPH  
■ Low power consumption  
■ Erase verify  
– Standby and automatic standby  
■ Memory blocks  
■ Hardware block protection  
– Quadruple bank memory array:  
16 Mbit+48 Mbit+48 Mbit+16 Mbit  
– V /WP pin for fast program and write  
PP  
protect of the four outermost parameter  
blocks  
– Parameter blocks (at top and bottom)  
■ Dual operation  
■ Security features  
– while program or erase in one bank, read in  
any of the other banks  
– Volatile protection  
– Non-volatile protection  
– Password protection  
– Additional block protection  
■ Program/erase suspend and resume modes  
– Read from any block during program  
suspend  
■ Extended memory block  
– Read and program another block during  
erase suspend  
– Extra block (128-word factory locked and  
128-word customer lockable) used as  
security block or to store additional  
information  
■ Unlock Bypass/Block Erase/Chip Erase/Write  
to Buffer/ Enhanced Buffered Program  
commands  
■ Electronic signature  
– Faster production/batch programming  
– Faster block and chip erase  
– Manufacturer code: 0020h  
– Device code: 227Eh+2220h+2202h  
■ ECOPACK® packages available  
■ Common Flash interface  
– 64 bit security code  
March 2008  
Rev 1  
1/85  
www.st.com  
1
1234567...85

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与M29DW128G70NF6E相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M29DW128G70NF6F NUMONYX

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 		Flash, 8MX16, 60ns, PDSO56, 14 X 20 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSSOP-56
M29DW128G70NF6F STMICROELECTRONICS

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 		IC,EEPROM,NOR FLASH,8MX16,CMOS,TSSOP,56PIN,PLASTIC
M29DW128G70ZA6 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		IC,EEPROM,NOR FLASH,8MX16,CMOS,BGA,64PIN,PLASTIC
M29DW128G70ZA6E NUMONYX

获取价格

 		Flash, 8MX16, 60ns, PBGA64, 10 X 13 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TBGA-64
M29DW128G70ZA6F STMICROELECTRONICS

获取价格

 		IC,EEPROM,NOR FLASH,8MX16,CMOS,BGA,64PIN,PLASTIC
M29DW256G MICRON

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 		Micron Parallel NOR Flash Embedded Memory
M29DW256G70NF3E MICRON

获取价格

 		256Mb (x16), 3V, Multiple Bank, Page, Dual Boot, Parallel NOR Flash Memory
M29DW256G70NF6E MICRON

获取价格

 		Micron Parallel NOR Flash Embedded Memory
M29DW256G70NF6F MICRON

获取价格

 		256Mb (x16), 3V, Multiple Bank, Page, Dual Boot, Parallel NOR Flash Memory
M29DW256G70ZA6E MICRON

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 		256Mb (x16), 3V, Multiple Bank, Page, Dual Boot, Parallel NOR Flash Memory

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