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M29DW323DB70N1F

更新时间： 2024-10-26 05:01:03

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恒忆 - NUMONYX		闪存存储内存集成电路光电二极管
页数	文件大小	规格书
51页	1304K
描述
32 Mbit (4Mb x8 or 2Mb x16, Dual Bank 8:24, Boot Block) 3V Supply Flash Memory

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M29DW323DB70N1F 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSOP
包装说明：	12 X 20 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP-48	针数：	48
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A991.B.1.A
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.14
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	70 ns
其他特性：	BOTTOM BOOT BLOCK	备用内存宽度：	8
启动块：	BOTTOM	JESD-30 代码：	R-PDSO-G48
JESD-609代码：	e3/e6	长度：	18.4 mm
内存密度：	33554432 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	16	功能数量：	1
端子数量：	48	字数：	2097152 words
字数代码：	2000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	2MX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP1	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	编程电压：	3 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	TIN/TIN BISMUTH	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	类型：	NOR TYPE
宽度：	12 mm	Base Number Matches：	1

M29DW323DB70N1F 数据手册

M29DW323DT

M29DW323DB

32 Mbit (4Mb x8 or 2Mb x16, Dual Bank 8:24, Boot Block)

3V Supply Flash Memory

FEATURES SUMMARY

■

SUPPLY VOLTAGE

Figure 1. Packages

–

V_CC= 2.7V to 3.6V for Program, Erase

and Read

–

V_PP=12V for Fast Program (optional)

■

ACCESS TIME: 70ns

PROGRAMMING TIME

–

10µs per Byte/Word typical

Double Word/ Quadruple Byte Program

TSOP48 (N)

12 x 20mm

■

MEMORY BLOCKS

–

Dual Bank Memory Array: 8Mbit+24Mbit

Parameter Blocks (Top or Bottom

Location)

FBGA

■

DUAL OPERATIONS

–

Read in one bank while Program or Erase

in other

TFBGA48 (ZE)

6 x 8mm

ERASE SUSPEND and RESUME MODES

–

Read and Program another Block during

Erase Suspend

UNLOCK BYPASS PROGRAM COMMAND

Faster Production/Batch Programming

–

■

V_PP/WP PIN for FAST PROGRAM and

WRITE PROTECT

TEMPORARY BLOCK UNPROTECTION

MODE

COMMON FLASH INTERFACE

–

64 bit Security Code

■

EXTENDED MEMORY BLOCK

–

Extra block used as security block or to

store additional information

LOW POWER CONSUMPTION

Standby and Automatic Standby

–

■

100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per

BLOCK

ELECTRONIC SIGNATURE

–

Manufacturer Code: 0020h

Top Device Code M29DW323DT: 225Eh

Bottom Device Code M29DW323DB:

225Fh

March 2008

1/51

12 3 4 5 6 7...51

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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M29DW323DB70N1T	NUMONYX	获取价格	32 Mbit (4Mb x8 or 2Mb x16, Dual Bank 8:24, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
M29DW323DB70N3E	MICRON	获取价格	32Mb (4Mb x8 or 2Mb x16), 3V, Dual Bank 8:24, Boot Block, Parallel NOR Flash Memory
M29DW323DB70N6	NUMONYX	获取价格	32 Mbit (4Mb x8 or 2Mb x16, Dual Bank 8:24, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
M29DW323DB70N6	STMICROELECTRONICS	获取价格	32 Mbit 4Mb x8 or 2Mb x16, Dual Bank 8:24, Boot Block 3V Supply Flash Memory
M29DW323DB70N6E	STMICROELECTRONICS	获取价格	32 Mbit 4Mb x8 or 2Mb x16, Dual Bank 8:24, Boot Block 3V Supply Flash Memory
M29DW323DB70N6E	NUMONYX	获取价格	32 Mbit (4Mb x8 or 2Mb x16, Dual Bank 8:24, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
M29DW323DB70N6E	MICRON	获取价格	32Mb (4Mb x8 or 2Mb x16), 3V, Dual Bank 8:24, Boot Block, Parallel NOR Flash Memory
M29DW323DB70N6F	NUMONYX	获取价格	32 Mbit (4Mb x8 or 2Mb x16, Dual Bank 8:24, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
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