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Datasheet > 存储 > OTP ROM> M27W401-80N6
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M27W401-80N6

更新时间： 2024-12-01 04:43:23
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 存储内存集成电路ISM频段可编程只读存储器OTP只读存储器电动程控只读存储器
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23页 212K
描述
4 Mbit (512Kb x 8) Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM

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M27W401-80N6 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSOP包装说明：8 X 20 MM, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP-32
针数：32Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.71
风险等级：5.8Is Samacsys：N
最长访问时间：80 ns其他特性：ACCESS TIME 70 NANO SECS AT VCC 3V TO 3.6V
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PTSO-G32
JESD-609代码：e3/e6长度：18.4 mm
内存密度：4194304 bit内存集成电路类型：OTP ROM
内存宽度：8功能数量：1
端子数量：32字数：524288 words
字数代码：512000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：512KX8输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP2
封装等效代码：TSSOP32,.8,20封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：260电源：3/3.3 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.2 mm
最大待机电流：0.000015 A子类别：OTP ROMs
最大压摆率：0.015 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：2.7 V标称供电电压 (Vsup)：3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：TIN/TIN BISMUTH
端子形式：GULL WING端子节距：0.5 mm
端子位置：TRIPLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：8 mmBase Number Matches：1

M27W401-80N6 数据手册

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M27W401  
4 Mbit (512Kb x 8) Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM  
Features  
■ 2.7V to 3.6V Supply Voltage in Read Operation  
■ Access Time:  
– 70 ns at V = 3.0V to 3.6V  
CC  
32  
32  
– 80 ns at V = 2.7V to 3.6V  
CC  
1
1
■ Pin Compatible with M27C4001  
PDIP32 (B)  
FDIP32W (F)  
■ Low Power Consumption:  
– 15 µA Max. Standby Current  
– 15 mA Max. Active Current at 5 MHz  
■ Programming Time 100 µs/byte  
■ High Reliability CMOS Technology  
– 2,000V ESD Protection  
– 200 mA Latchup Protection Immunity  
TSOP32 (N)  
8 x 20 mm  
■ Electronic Signature  
– Manufacturer Code: 20h  
– Device Code: 41h  
PLCC32 (K)  
■ ECOPACK® packages available  
April 2006  
Rev 3  
1/23  
www.st.com  
1
1234567...23

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M27W401-80N6TR STMICROELECTRONICS

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M27W402-100N6 STMICROELECTRONICS

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 		256KX16 OTPROM, 100ns, PDSO40, 10 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-40

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