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M27W512-100B6

更新时间: 2024-02-17 06:44:19
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意法半导体 - STMICROELECTRONICS 存储内存集成电路光电二极管可编程只读存储器OTP只读存储器电动程控只读存储器
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21页 372K
描述
512 Kbit (64K x8) Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM

M27W512-100B6 技术参数

是否Rohs认证:符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:DIP包装说明:DIP, DIP28,.6
针数:28Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.71
风险等级:5.82Is Samacsys:N
最长访问时间:100 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDIP-T28JESD-609代码:e3
长度:36.83 mm内存密度:524288 bit
内存集成电路类型:OTP ROM内存宽度:8
功能数量:1端子数量:28
字数:65536 words字数代码:64000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:64KX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:DIP封装等效代码:DIP28,.6
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:3/3.3 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:5.08 mm最大待机电流:0.000015 A
子类别:OTP ROMs最大压摆率:0.015 mA
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):2.7 V
标称供电电压 (Vsup):3 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:Matte Tin (Sn)端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:15.24 mm
Base Number Matches:1

M27W512-100B6 数据手册

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M27W512  
512 Kbit (64K x8) Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM  
FEATURES SUMMARY  
2.7 to 3.6V SUPPLY VOLTAGE in READ  
Figure 1. Packages  
OPERATION  
ACCESS TIME:  
70ns at VCC = 3.0 to 3.6V  
80ns at VCC = 2.7 to 3.6V  
PIN COMPATIBLE with M27C512  
LOW POWER CONSUMPTION:  
28  
15µA max Standby Current  
15mA max Active Current at 5MHz  
1
FDIP28W (F)  
PROGRAMMING TIME 100µs/byte  
HIGH RELIABILITY CMOS TECHNOLOGY  
2000V ESD Protection  
200mA Latchup Protection Immunity  
ELECTRONIC SIGNATURE  
Manufacturer Code: 20h  
Device Code: 3Dh  
28  
PACKAGES  
Lead-Free Versions  
1
PDIP28 (B)  
PLCC32 (K)  
TSOP28 (N)  
8 x 13.4 mm  
November 2004  
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