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M27W512-100F6E

更新时间： 2024-02-22 12:04:18
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 可编程只读存储器电动程控只读存储器
页数 文件大小 规格书
21页 372K
描述
512 Kbit (64K x8) Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM

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M27W512-100F6E 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：DIP包装说明：FRIT SEALED, WINDOWED, CERAMIC, DIP-28
针数：28Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.61
风险等级：5.82最长访问时间：100 ns
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-GDIP-T28
JESD-609代码：e3长度：36.92 mm
内存密度：524288 bit内存集成电路类型：UVPROM
内存宽度：8功能数量：1
端子数量：28字数：65536 words
字数代码：64000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：64KX8输出特性：3-STATE
封装主体材料：CERAMIC, GLASS-SEALED封装代码：WDIP
封装等效代码：DIP28,.6封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE, WINDOW并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：3/3.3 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：5.97 mm
最大待机电流：0.000015 A子类别：EPROMs
最大压摆率：0.015 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：2.7 V标称供电电压 (Vsup)：3 V
表面贴装：NO技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子节距：2.54 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：15.24 mmBase Number Matches：1

M27W512-100F6E 数据手册

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M27W512  
512 Kbit (64K x8) Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM  
FEATURES SUMMARY  
■
2.7 to 3.6V SUPPLY VOLTAGE in READ  
Figure 1. Packages  
OPERATION  
■
ACCESS TIME:  
–
–
70ns at VCC = 3.0 to 3.6V  
80ns at VCC = 2.7 to 3.6V  
■
■
PIN COMPATIBLE with M27C512  
LOW POWER CONSUMPTION:  
28  
–
–
15µA max Standby Current  
15mA max Active Current at 5MHz  
1
FDIP28W (F)  
■
■
PROGRAMMING TIME 100µs/byte  
HIGH RELIABILITY CMOS TECHNOLOGY  
–
–
2000V ESD Protection  
200mA Latchup Protection Immunity  
■
■
ELECTRONIC SIGNATURE  
–
–
Manufacturer Code: 20h  
Device Code: 3Dh  
28  
PACKAGES  
Lead-Free Versions  
1
–
PDIP28 (B)  
PLCC32 (K)  
TSOP28 (N)  
8 x 13.4 mm  
November 2004  
1/21  
1234567...21

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M27W512-100F6F STMICROELECTRONICS

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 		512 Kbit (64K x8) Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM
M27W512-100F6TR STMICROELECTRONICS

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 		512 Kbit 64Kb x8 Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM
M27W512-100K6 STMICROELECTRONICS

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