M27W400-100B6TR

更新时间： 2024-11-29 22:23:31

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		可编程只读存储器电动程控只读存储器
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4 Mbit 512Kb x8 or 256Kb x16 Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM

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M27W400-100B6TR 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIP
包装说明：	DIP,	针数：	40
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.71	风险等级：	5.84
最长访问时间：	100 ns	备用内存宽度：	16
JESD-30 代码：	R-PDIP-T40	长度：	52.18 mm
内存密度：	4194304 bit	内存集成电路类型：	OTP ROM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	40	字数：	524288 words
字数代码：	512000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	512KX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	DIP	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	并行/串行：	PARALLEL
认证状态：	Not Qualified	最大供电电压 (Vsup)：	3.96 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.43 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	15.24 mm
Base Number Matches：	1

M27W400-100B6TR 数据手册

M27W400

4 Mbit (512Kb x8 or 256Kb x16)

Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM

■ 2.7 to 3.6V LOW VOLTAGE in READ

OPERATION

■ READ ACCESS TIME:

– 80ns at V = 3.0 to 3.6V

– 100ns at V = 2.7 to 3.6V

■ BYTE-WIDE or WORD-WIDE

CONFIGURABLE

FDIP40W (F)

PDIP40 (B)

■ 4 Mbit MASK ROM REPLACEMENT

■ LOW POWER CONSUMPTION

– Active Current 20mA at 8MHz

– Stand-by Current 15µA

■ PROGRAMMING VOLTAGE: 12.5V ± 0.25V

■ PROGRAMMING TIME: 50µs/word

■ ELECTRONIC SIGNATURE

– Manufacturer Code: 20h

PLCC44 (K)

– Device Code: B8h

Figure 1. Logic Diagram

DESCRIPTION

The M27W400 is a low voltage 4 Mbit EPROM of-

fered in the two range UV (Ultra Violet Erase) and

OTP (one time programmable). It is ideally suited

for microprocessor systems requiring large data or

program storage. It is organised as either 512

Kwords of 8 bit or 256 Kwords of 16 bit. The pin-

out is compatible with the most common 4 Mbit

Mask ROM.

Q15A–1

A0-A17

The M27W400 operates in the read mode with a

supply voltage as low as 2.7V at –40 to 85°C tem-

perature range. The decrease in operating power

allows either a reduction of the size of the battery

or an increase in the time between battery re-

charges.

Q0-Q14

M27W400

The FDIP40W (window ceramic frit-seal package)

has a transparent lid which allows the user to ex-

pose the chip to ultraviolet light to erase the bit pat-

tern. A new pattern can then be written to the

device by following the programming procedure.

BYTEV

For application where the content is programmed

only one time and erasure is not required, the

M27W400 is offered in PDIP40 and PLCC44 pack-

ages.

AI03096

January 2000

1/15

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
M27W400-100F6	STMICROELECTRONICS	获取价格	512KX8 UVPROM, 100ns, CDIP40, WINDOWED, FRIT SEALED, CERAMIC, DIP-40
M27W400-100F6TR	STMICROELECTRONICS	获取价格	4 Mbit 512Kb x8 or 256Kb x16 Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM
M27W400-100K6TR	STMICROELECTRONICS	获取价格	4 Mbit 512Kb x8 or 256Kb x16 Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM
M27W400-100XB6	STMICROELECTRONICS	获取价格	512KX8 OTPROM, 100ns, PDIP40, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-40
M27W400-100XB6TR	STMICROELECTRONICS	获取价格	4 Mbit 512Kb x8 or 256Kb x16 Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM
M27W400-100XF6	STMICROELECTRONICS	获取价格	512KX8 UVPROM, 100ns, CDIP40, WINDOWED, FRIT SEALED, CERAMIC, DIP-40
M27W400-100XF6TR	STMICROELECTRONICS	获取价格	4 Mbit 512Kb x8 or 256Kb x16 Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM
M27W400-100XK6	STMICROELECTRONICS	获取价格	512KX8 OTPROM, 100ns, PQCC44, PLASTIC, LCC-44
M27W400-100XK6TR	STMICROELECTRONICS	获取价格	4 Mbit 512Kb x8 or 256Kb x16 Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM
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