是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | DIP | 包装说明: | DIP, DIP28,.6 |
针数: | 28 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.61 |
风险等级: | 5.92 | 最长访问时间: | 200 ns |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-CDIP-T28 |
JESD-609代码: | e0 | 内存密度: | 524288 bit |
内存集成电路类型: | UVPROM | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 28 |
字数: | 65536 words | 字数代码: | 64000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 64KX8 |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装代码: | DIP | 封装等效代码: | DIP28,.6 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 3.3 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 5.71 mm | 最大待机电流: | 0.00001 A |
子类别: | EPROMs | 最大压摆率: | 0.01 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup): | 3 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 15.24 mm |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
M27V512-200F6TR | STMICROELECTRONICS |
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512 Kbit 64Kb x8 Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM | |
M27V512-200K1TR | STMICROELECTRONICS |
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512 Kbit 64Kb x8 Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM | |
M27V512-200K6 | STMICROELECTRONICS |
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64KX8 OTPROM, 200ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 | |
M27V512-200K6TR | STMICROELECTRONICS |
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512 Kbit 64Kb x8 Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM | |
M27V512-200N1 | STMICROELECTRONICS |
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64KX8 OTPROM, 200ns, PDSO28, 8 X 13.40 MM, PLASTIC, TSOP-28 | |
M27V512-200N1TR | STMICROELECTRONICS |
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512 Kbit 64Kb x8 Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM | |
M27V512-200N6TR | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
512 Kbit 64Kb x8 Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM | |
M27V512-90B1 | STMICROELECTRONICS |
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M27V512-90B1, DIP6-28 | |
M27V512-90F1 | STMICROELECTRONICS |
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M27V512-90F1, DIP6-28 | |
M27V512-90F6 | STMICROELECTRONICS |
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M27V512-90F6, DIP6-28 |