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M12L64322A-6BG2S

更新时间： 2024-01-02 20:47:16
品牌 Logo 应用领域
晶豪 - ESMT 动态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
46页 818K
描述
Synchronous DRAM, 2MX32, CMOS, PBGA90, BGA-90

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M12L64322A-6BG2S 技术参数

生命周期：Contact Manufacturer包装说明：VFBGA,
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.66访问模式：FOUR BANK PAGE BURST
其他特性：AUTO/SELF REFRESHJESD-30 代码：R-PBGA-B90
长度：13 mm内存密度：67108864 bit
内存集成电路类型：SYNCHRONOUS DRAM内存宽度：32
功能数量：1端口数量：1
端子数量：90字数：2097152 words
字数代码：2000000工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：2MX32封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：VFBGA封装形状：RECTANGULAR
封装形式：GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH座面最大高度：1 mm
自我刷新：YES最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：3 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子形式：BALL
端子节距：0.8 mm端子位置：BOTTOM
宽度：8 mmBase Number Matches：1

M12L64322A-6BG2S 数据手册

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ESMT  
SDRAM  
M12L64322A (2S)  
512K x 32 Bit x 4 Banks  
Synchronous DRAM  
FEATURES  
ORDERING INFORMATION  
ó
ó
ó
ó
JEDEC standard 3.3V power supply  
LVTTL compatible with multiplexed address  
Four banks operation  
MRS cycle with address key programs  
- CAS Latency ( 2 & 3 )  
- Burst Length ( 1, 2, 4, 8 & full page )  
- Burst Type ( Sequential & Interleave )  
All inputs are sampled at the positive going edge of the  
system clock  
Burst Read Single-bit Write operation  
DQM for masking  
Product ID  
Max Freq. Package Comments  
M12L64322A-5TG2S  
M12L64322A-6TG2S  
M12L64322A-7TG2S  
M12L64322A-5BG2S  
M12L64322A-6BG2S  
M12L64322A-7BG2S  
200MHz 86 TSOPII  
166MHz 86 TSOPII  
143MHz 86 TSOPII  
Pb-free  
Pb-free  
Pb-free  
Pb-free  
Pb-free  
Pb-free  
ó
200MHz  
166MHz  
143MHz  
90 BGA  
90 BGA  
90 BGA  
ó
ó
ó
ó
Auto & self refresh  
64ms refresh period (4K cycle)  
GENERAL DESCRIPTION  
The M12L64322A is 67,108,864 bits synchronous high data rate Dynamic RAM organized as 4 x 524,288 words by 32 bits.  
Synchronous design allows precise cycle control with the use of system clock I/O transactions are possible on every clock cycle.  
Range of operating frequencies, programmable burst length and programmable latencies allow the same device to be useful for a  
variety of high bandwidth, high performance memory system applications.  
BALL CONFIGURATION (TOP VIEW)  
(TSOPII 86L, 400milX875mil Body, 0.5mm Pin Pitch)  
V
DD  
V
S S  
1
2
3
4
5
6
7
8
9
86  
85  
84  
83  
82  
81  
80  
79  
78  
77  
76  
75  
74  
73  
72  
71  
70  
69  
68  
67  
DQ0  
DQ15  
V
DDQ  
DQ1  
DQ2  
V
SS Q  
DQ14  
DQ13  
V
S SQ  
DQ3  
DQ4  
V
DDQ  
DQ12  
DQ11  
V
DDQ  
DQ5  
DQ6  
VSS Q  
10  
11  
12  
DQ10  
DQ9  
V
SS Q  
VDDQ  
DQ7 13  
NC  
DQ8  
N C  
14  
15  
V
DD  
VSS  
DQM0 16  
WE 17  
CAS  
RAS  
CS  
DQM1  
N C  
N C  
CLK  
CKE  
A9  
18  
19  
20  
NC  
21  
22  
23  
24  
25  
26  
27  
28  
29  
30  
31  
66  
65  
64  
63  
62  
61  
60  
59  
58  
57  
56  
55  
54  
53  
52  
51  
50  
49  
48  
47  
46  
45  
44  
A8  
BA0  
BA1  
A10/AP  
A0  
A7  
A6  
A5  
A4  
A1  
A3  
A2  
DQM3  
DQM2  
V
S S  
V
DD  
N C  
NC  
DQ31  
DQ16  
V
DDQ  
V
SSQ 32  
DQ17 33  
DQ18 34  
DDQ 35  
DQ19  
DQ30  
DQ29  
V
S SQ  
V
36  
DQ28  
DQ27  
DQ20 37  
SSQ  
38  
39  
40  
41  
VDDQ  
V
DQ26  
DQ25  
DQ21  
DQ22  
V
S SQ  
V
DDQ  
DQ24  
DQ23 42  
V
S S  
V
DD  
43  
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.  
Publication Date: Dec. 2015  
Revision: 1.0 1/46  
1234567...46

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