是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Contact Manufacturer |
零件包装代码: | TSOP2 | 包装说明: | TSSOP, TSSOP86,.46,20 |
针数: | 86 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.02 |
风险等级: | 5.5 | 访问模式: | FOUR BANK PAGE BURST |
最长访问时间: | 6 ns | 其他特性: | AUTO/SELF REFRESH |
最大时钟频率 (fCLK): | 143 MHz | I/O 类型: | COMMON |
交错的突发长度: | 1,2,4,8 | JESD-30 代码: | R-PDSO-G86 |
长度: | 22.22 mm | 内存密度: | 67108864 bit |
内存集成电路类型: | SYNCHRONOUS DRAM | 内存宽度: | 32 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 86 | 字数: | 2097152 words |
字数代码: | 2000000 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 2MX32 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | TSSOP |
封装等效代码: | TSSOP86,.46,20 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH | 电源: | 3.3 V |
认证状态: | Not Qualified | 刷新周期: | 2048 |
座面最大高度: | 1.2 mm | 自我刷新: | YES |
连续突发长度: | 1,2,4,8,FP | 最大待机电流: | 0.002 A |
子类别: | DRAMs | 最大压摆率: | 0.285 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup): | 3 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 0.5 mm |
端子位置: | DUAL | 宽度: | 10.16 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
M12L64322A-7BG2S | ESMT |
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暂无描述 |
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M12L64322A-7BG2U | ESMT |
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512K x 32 Bit x 4 Banks |
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M12L64322A-7T | ESMT |
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512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
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M12L64322A-7TG | ESMT |
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512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
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M12L64322A-7TG2S | ESMT |
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Synchronous DRAM, 2MX32, CMOS, PDSO86, TSOPII-86 |
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M12L64322A-7TG2U | ESMT |
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512K x 32 Bit x 4 Banks |
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M12L64322A-7TIG2U | ESMT |
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DRAM, |
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M12P | WINCHESTER |
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COMPOSITE OUTLINE ASSY |
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M12S | WINCHESTER |
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COMPOSITE OUTLINE ASSY |
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M12S-04BFFB-SL7002 | AMPHENOL |
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Circular Connector |
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