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M12L64322A-6T

更新时间： 2024-09-24 05:44:31

品牌	Logo	应用领域
晶豪 - ESMT		存储内存集成电路光电二极管动态存储器时钟
页数	文件大小	规格书
44页	812K
描述
512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM

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M12L64322A-6T 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	TSSOP, TSSOP86,.46,20
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.8
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	5.5 ns
最大时钟频率 (fCLK)：	166 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	1,2,4,8	JESD-30 代码：	R-PDSO-G86
内存密度：	67108864 bit	内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度：	32	端子数量：	86
字数：	2097152 words	字数代码：	2000000
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	2MX32	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSSOP
封装等效代码：	TSSOP86,.46,20	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	4096
连续突发长度：	1,2,4,8,FP	最大待机电流：	0.002 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.31 mA
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

M12L64322A-6T 数据手册

ESMT

SDRAM

M12L64322A

512K x 32 Bit x 4 Banks

Synchronous DRAM

FEATURES

ORDERING INFORMATION

ꢀ

JEDEC standard 3.3V power supply

LVTTL compatible with multiplexed address

Four banks operation

86 Pin TSOP (TypeII)

(400mil x 875mil)

MRS cycle with address key programs

- CAS Latency ( 2 & 3 )

- Burst Length ( 1, 2, 4, 8 & full page )

- Burst Type ( Sequential & Interleave )

All inputs are sampled at the positive going edge of the

system clock

Product No.

M12L64322A-6T

M12L64322A-7T

MAX FREQ.

166MHz

PACKAGE

ꢀ

TSOPII

143MHz

ꢀ

DQM for masking

Auto & self refresh

15.6μs refresh interval

GENERAL DESCRIPTION

The M12L64322A is 67,108,864 bits synchronous high data rate Dynamic RAM organized as 4 x 524,288 words by 32 bits.

Synchronous design allows precise cycle control wi0th the use of system clock I/O transactions are possible on every clock cycle.

Range of operating frequencies, programmable burst length and programmable latencies allow the same device to be useful for a

variety of high bandwidth, high performance memory system applications.

PIN ARRANGEMENT

Top View

VDD

DQ0

V^DDQ

DQ1

DQ2

V^{SS Q}

DQ3

DQ4

V^DDQ

DQ5

DQ6

V^{S SQ}12

DQ7

V^DD15

DQM0 16

WE 17

CAS

RAS

BA0

BA1

A10/AP

DQM2

V^DD

VS S

DQ15

V^SSQ

DQ14

DQ13

V^DDQ

DQ12

DQ11

V^SSQ

DQ10

DQ9

V^DDQ

DQ8

N C

V^SS

DQM1

N C

CLK

CKE

DQM3

V^{S S}

N C

DQ16

V^{SS Q}

DQ31

V^DDQ

DQ30

DQ29

V^SSQ

DQ28

DQ27

V^DDQ

DQ26

DQ25

V^SSQ

DQ24

V^{S S}

DQ17 33

DQ18 34

V^DDQ35

DQ19 36

DQ20

V^{SS Q}

DQ21

DQ22

VDDQ

DQ23 42

V^DD

86Pin TSOP(II)

(400mil x 875mil)

(0.5mm Pin pitch)

Elite Semiconductor Memory Technology Inc.

Publication Date: May. 2004

Revision: 1.7 1/44

12 3 4 5 6 7...44

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
M12L64322A-6TG	ESMT	获取价格	512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM
M12L64322A-6TG2S	ESMT	获取价格	Synchronous DRAM, 2MX32, CMOS, PDSO86, TSOPII-86
M12L64322A-6TG2U	ESMT	获取价格	512K x 32 Bit x 4 Banks
M12L64322A-6TIG	ESMT	获取价格	512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM
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