Datasheet > 存储 > DRAM> M12L64322A-6BIG

M12L64322A-6BIG

更新时间： 2024-01-18 15:01:03

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晶豪 - ESMT		动态存储器
页数	文件大小	规格书
46页	771K
描述
512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM

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M12L64322A-6BIG 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSOP2
包装说明：	TSSOP,	针数：	86
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.02	风险等级：	5.14
Is Samacsys：	N	访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：	5.5 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码：	R-PDSO-G86	长度：	22.22 mm
内存密度：	67108864 bit	内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度：	32	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	86
字数：	2097152 words	字数代码：	2000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	2MX32
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSSOP
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
自我刷新：	YES	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	DUAL
宽度：	10.16 mm	Base Number Matches：	1

M12L64322A-6BIG 数据手册

ESMT

M12L64322A

Operation temperature condition -40°C ~ 85°C

SDRAM

512K x 32 Bit x 4 Banks

Synchronous DRAM

FEATURES

ORDERING INFORMATION

JEDEC standard 3.3V power supply

LVTTL compatible with multiplexed address

Four banks operation

MRS cycle with address key programs

- CAS Latency ( 2 & 3 )

- Burst Length ( 1, 2, 4, 8 & full page )

- Burst Type ( Sequential & Interleave )

All inputs are sampled at the positive going edge of the

system clock

Product No.

MAX FREQ. PACKAGE COMMENTS

M12L64322A-6TIG 166MHz

M12L64322A-6BIG 166MHz

TSOPII

90BGA

Pb-free

DQM for masking

Auto & self refresh

15.6μs refresh interval

GENERAL DESCRIPTION

The M12L64322A is 67,108,864 bits synchronous high data rate Dynamic RAM organized as 4 x 524,288 words by 32 bits.

Synchronous design allows precise cycle control with the use of system clock I/O transactions are possible on every clock cycle.

Range of operating frequencies, programmable burst length and programmable latencies allow the same device to be useful for a

variety of high bandwidth, high performance memory system applications.

PIN ARRANGEMENT

Top View

VDD

DQ0

V^DDQ

DQ1

DQ2

V^{SS Q}

DQ3

DQ4

V^DDQ

DQ5

DQ6

VSS

DQ15

V^{SS Q}

DQ14

DQ13

V^DDQ

DQ12

DQ11

V^{SS Q}

DQ10

DQ9

V^DDQ

DQ8

N C

V^{SS Q}12

DQ7

V^DD15

DQM0 16

WE 17

CAS

RAS

V^SS

DQM1

N C

CLK

CKE

BA0

BA1

A10/AP

DQM3

V^SS

DQM2

V^DD

N C

DQ31

V^DDQ

DQ30

DQ29

V^{SS Q}

DQ28

DQ27

V^DDQ

DQ26

DQ25

V^{SS Q}

DQ24

V^SS

DQ16

V^{SS Q}

DQ17 33

DQ18 34

V^DDQ35

DQ19 36

DQ20

V^{SS Q}

DQ21

DQ22

VDDQ

DQ23 42

V^DD

86Pin TSOP(II)

(400mil x 875mil)

(0.5mm Pin pitch)

Elite Semiconductor Memory Technology Inc.

Publication Date: Mar. 2007

Revision : 1.2 1/46

12 3 4 5 6 7...46

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
M12L64322A-6BIG2U	ESMT	获取价格	DRAM,
M12L64322A-6T	ESMT	获取价格	512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM
M12L64322A-6TG	ESMT	获取价格	512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM
M12L64322A-6TG2S	ESMT	获取价格	Synchronous DRAM, 2MX32, CMOS, PDSO86, TSOPII-86
M12L64322A-6TG2U	ESMT	获取价格	512K x 32 Bit x 4 Banks
M12L64322A-6TIG	ESMT	获取价格	512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM
M12L64322A-7BG	ESMT	获取价格	512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM
M12L64322A-7BG2S	ESMT	获取价格	暂无描述
M12L64322A-7BG2U	ESMT	获取价格	512K x 32 Bit x 4 Banks
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