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LSIC1MO120G0120

更新时间: 2024-11-06 14:56:51
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力特 - LITTELFUSE 布线PC
页数 文件大小 规格书
10页 549K
描述
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LSIC1MO120G0120  
Silicon Carbide MOSFET Datasheet  
LSIC1MO120G0120  
1200 V, 120 mOhm N-Channel SiC MOSFET  
Product Summary  
Characteristic  
Value  
1200  
120  
Unit  
V
VDS  
Typical RDS(ON)  
mOhm  
A
ID (TC  
°C)  
18  
Features  
Optimized for high-frequency, high-efficiency  
applications  
Extremely low gate charge and output  
capacitance  
Low gate resistance for high-frequency switching  
Normally-off operations at all temperatures  
Ultra-low on-resistance  
Agency Approvals and Environmental  
Environm ental Approvals  
Optimized package with separate driver source  
pin  
Circuit Diagram  
Applications  
High-frequency applications  
Solar Inverters  
Switch Mode Power Supplies  
UPS  
Motor Drives  
High Voltage DC/DC Converters  
Battery Chargers  
Induction Heating  
1
Specifications are subject to change without notice.  
Read complete Disclaimer Notice at www.littelfuse.com/disclaimer-electronics.  
© 2020 Littelfuse, Inc.  
Revised: 12/16/2020  

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