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LSIC2SD120A10A

更新时间： 2024-11-06 14:56:19

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力特 - LITTELFUSE		肖特基二极管
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7页	427K
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LSIC2SD120A10A 数据手册

LSIC2SD120A10A

Silicon Carbide Schottky Diode Datasheet

LSIC2SD120A10A

1200 V, 10 A SiC Schottky Barrier Diode

Product Summary

Characteristic

Value

Unit

RRM

1200

I_F(T_C135 °C)

Q_C(V : 0 800 V)

Features

• AEC-Q101 qualified

• Positive temperature coefficient for safe

operation and ease of paralleling

• 175 °C maximum operating junction temperature

• Excellent surge capability

• Extremely fast, temperature-independent

switching behavior

Agency Approvals and Environmental

Environm ental Approvals

• Dramatically reduced switching losses compared

to Si bipolar diodes

• RoHS compliant, lead-free, and halogen-free

Circuit Diagram TO-220-2L

Applications

• Boost diodes in PFC or DC/DC stages

• Switch-mode power supplies

• Solar inverters

• Uninterruptable power supplies

• Industrial motor drives

• Battery chargers

• High speed rectifier

Specifications are subject to change without notice.

Read complete Disclaimer Notice at www.littelfuse.com/disclaimer-electronics.

Revised: 8/31/2021

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