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LSIC1MO170T0750

更新时间： 2024-11-06 14:57:03

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力特 - LITTELFUSE		驱动驱动器
页数	文件大小	规格书
11页	693K
描述
我们新推出的1700V, 750mOhm碳化硅（SiC）MOSFET采用TO-263-7L封装。分离的源极引脚显著减少了通往驱动器的寄生源极电感路径，这有助于提高大功率应用的效率。最高工作结温

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LSIC1MO170T0750 数据手册

LSIC1MO170T0750

Silicon Carbide MOSFET Datasheet

LSIC1MO170T0750

1700 V, 750 mOhm N-Channel SiC MOSFET

Product Summary

Characteristic

Value

1700

750

Unit

V_DS

Typical R_DS(ON)

I_D(T_C

°C)

4.5

Features

• Optimized for high-frequency, high-efficiency

applications

• Extremely low gate charge and output

capacitance

• Low gate resistance for high-frequency switching

• Normally-off operations at all temperatures

• Optimized package with separate driver source

pin and enhanced creepage

Agency Approvals and Environmental

Environm ental Approvals

• RoHS compliant, lead-free, and halogen-free

• MSL 1 Rated

Pinout Diagram

Applications

• Auxiliary Power Supplies

▪

PV Inverters

UPS and Battery Chargers

Motor Drives

xEV Chargers

Industrial DC/DC and Inverters

• High-frequency Switch Mode Power Supplies

Specifications are subject to change without notice.

Read complete Disclaimer Notice at www.littelfuse.com/disclaimer-electronics.

Revised: 11/19/2021

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