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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.77 |
| 最长访问时间： | 120 ns | JESD-30 代码： | R-PDSO-G40 |
| JESD-609代码： | e0 | 内存集成电路类型： | MEMORY CIRCUIT |
| 混合内存类型： | FLASH+SRAM | 端子数量： | 40 |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -25 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | TSSOP |
| 封装等效代码： | TSSOP40,.53,16 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH | 电源： | 3 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大待机电流： | 0.00002 A |
| 子类别： | Other Memory ICs | 标称供电电压 (Vsup)： | 3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | HYBRID |
| 温度等级： | OTHER | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 0.4 mm |
| 端子位置： | DUAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| LR-S13011 | SHARP |
获取价格 |
Flash, 512KX8, 150ns, PDSO40, 8 X 13.40 MM, 0.40 MM PITCH, STACK, TSOP1-40 |
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| LRS13012 | ETC |
获取价格 |
SRAM/EEPROM |
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| LRS1302 | SHARP |
获取价格 |
Stacked Chip 8M Flash and 1M SRAM |
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| LRS13023 | SHARP |
获取价格 |
Stacked Chip 8M Flash and 1M SRAM |
|
| LR-S1303 | SHARP |
获取价格 |
Flash, 1MX8, 150ns, PDSO40, 8 X 13.40 MM, 0.40 MM PITCH, STACK, TSOP1-40 |
|
| LR-S1305 | SHARP |
获取价格 |
Flash, 2MX8, 120ns, PDSO48, 10 X 14 MM, 0.40 MM PITCH, STACK, TSOP1-48 |
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| LRS1306 | ETC |
获取价格 |
SRAM/EEPROM |
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| LR-S1307 | SHARP |
获取价格 |
Flash, 2MX8, 120ns, PDSO60, 12 X 18 MM, 0.40 MM PITCH, STACK, TSOP1-60 |
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| LRS13071 | SHARP |
获取价格 |
Memory Circuit, 1MX16, CMOS, PDSO60, 12 X 18 MM, PLASTIC, TSOP-60 |
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| LR-S1310 | SHARP |
获取价格 |
Flash, 2MX8, 150ns, PBGA56, 8 X 10 MM, CSP, FBGA-56 |
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