是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | SOIC | 包装说明: | PLASTIC, SO-8 |
针数: | 8 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.33.00.01 |
风险等级: | 5.65 | Is Samacsys: | N |
放大器类型: | OPERATIONAL AMPLIFIER | 架构: | VOLTAGE-FEEDBACK |
最大平均偏置电流 (IIB): | 0.004 µA | 25C 时的最大偏置电流 (IIB): | 0.0002 µA |
标称共模抑制比: | 100 dB | 频率补偿: | YES |
最大输入失调电流 (IIO): | 0.002 µA | 最大输入失调电压: | 3000 µV |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G8 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 4.9 mm | 低-偏置: | YES |
低-失调: | NO | 负供电电压上限: | -18 V |
标称负供电电压 (Vsup): | -15 V | 功能数量: | 2 |
端子数量: | 8 | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | |
封装代码: | SOP | 封装等效代码: | SOP8,.25 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | +-15 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 1.75 mm |
最小摆率: | 8 V/us | 标称压摆率: | 13 V/us |
子类别: | Operational Amplifier | 最大压摆率: | 6.8 mA |
供电电压上限: | 18 V | 标称供电电压 (Vsup): | 15 V |
表面贴装: | YES | 技术: | BIPOLAR |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
标称均一增益带宽: | 4000 kHz | 最小电压增益: | 15000 |
宽度: | 3.9 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
LF412CDE4 | TI |
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DUAL JFET-INPUT OPERATIONAL AMPLIFIER | |
LF412CDG4 | TI |
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DUAL JFET-INPUT OPERATIONAL AMPLIFIER | |
LF412CDR | TI |
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DUAL JFET-INPUT OPERATIONAL AMPLIFIER | |
LF412CDR2 | MOTOROLA |
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DUAL OP-AMP, 3000uV OFFSET-MAX, 4MHz BAND WIDTH, PDSO8, PLASTIC, SO-8 | |
LF412CDR2 | ONSEMI |
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DUAL OP-AMP, 3000uV OFFSET-MAX, 4MHz BAND WIDTH, PDSO8, PLASTIC, SO-8 | |
LF412CDRE4 | TI |
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DUAL JFET-INPUT OPERATIONAL AMPLIFIER | |
LF412CDRG4 | TI |
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DUAL JFET-INPUT OPERATIONAL AMPLIFIER | |
LF412CH | NSC |
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Low Offset, Low Drift Dual JFET Input Operational Amplifier | |
LF412CH | Linear |
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Dual Precision JFET Input Operational Amplifiers | |
LF412CH | TI |
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LF412 Low Offset, Low Drift Dual JFET Input Operational Amplifier |