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LF412CH

更新时间: 2024-09-21 12:21:35
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 运算放大器
页数 文件大小 规格书
16页 1315K
描述
LF412 Low Offset, Low Drift Dual JFET Input Operational Amplifier

LF412CH 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:BCY
包装说明:, CAN8,.2针数:8
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.33.00.01风险等级:5.65
放大器类型:OPERATIONAL AMPLIFIER架构:VOLTAGE-FEEDBACK
最大平均偏置电流 (IIB):0.0002 µA25C 时的最大偏置电流 (IIB):0.0002 µA
最小共模抑制比:70 dB标称共模抑制比:100 dB
频率补偿:YES最大输入失调电流 (IIO):0.025 µA
最大输入失调电压:3000 µVJESD-30 代码:O-MBCY-W8
JESD-609代码:e0低-偏置:YES
低-失调:NO湿度敏感等级:1
负供电电压上限:-18 V标称负供电电压 (Vsup):-15 V
功能数量:2端子数量:8
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-55 °C
封装主体材料:METAL封装等效代码:CAN8,.2
封装形状:ROUND封装形式:CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度):260电源:+-15 V
认证状态:Not Qualified筛选级别:MIL-STD-883
最小摆率:8 V/us标称压摆率:15 V/us
子类别:Operational Amplifier最大压摆率:6.5 mA
供电电压上限:18 V标称供电电压 (Vsup):15 V
表面贴装:NO技术:BIPOLAR
温度等级:MILITARY端子面层:Tin/Lead (Sn63Pb37)
端子形式:WIRE端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:40标称均一增益带宽:4000 kHz
最小电压增益:25000Base Number Matches:1

LF412CH 数据手册

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LF412  
LF412 Low Offset, Low Drift Dual JFET Input Operational Amplifier  
Literature Number: SNOSBH7D  

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