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LF412MD8

更新时间: 2024-09-21 12:21:35
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 运算放大器放大器电路
页数 文件大小 规格书
18页 1218K
描述
LF412QML Low Offset, Low Drift Dual JFET Input Operational Amplifier

LF412MD8 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active零件包装代码:DIE
包装说明:DIEReach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.33.00.01
风险等级:5.44Is Samacsys:N
放大器类型:OPERATIONAL AMPLIFIER架构:VOLTAGE-FEEDBACK
最大平均偏置电流 (IIB):0.0002 µA25C 时的最大偏置电流 (IIB):0.0002 µA
最小共模抑制比:70 dB标称共模抑制比:100 dB
频率补偿:YES最大输入失调电流 (IIO):0.0001 µA
最大输入失调电压:3000 µVJESD-30 代码:X-XUUC-N
低-偏置:YES低-失调:NO
微功率:NO湿度敏感等级:1
负供电电压上限:-18 V标称负供电电压 (Vsup):-15 V
功能数量:2最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C封装主体材料:UNSPECIFIED
封装代码:DIE封装形状:UNSPECIFIED
封装形式:UNCASED CHIP峰值回流温度(摄氏度):260
功率:NO可编程功率:NO
认证状态:Not Qualified筛选级别:MIL-STD-883
最小摆率:8 V/us标称压摆率:15 V/us
子类别:Operational Amplifier最大压摆率:6.5 mA
供电电压上限:18 V标称供电电压 (Vsup):15 V
表面贴装:YES技术:BIPOLAR
温度等级:MILITARY端子形式:NO LEAD
端子位置:UPPER处于峰值回流温度下的最长时间:40
标称均一增益带宽:4000 kHz最小电压增益:15000
宽带:NOBase Number Matches:1

LF412MD8 数据手册

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LF412QML  
LF412QML Low Offset, Low Drift Dual JFET Input Operational Amplifier  
Literature Number: SNOSAO7  

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