是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | DIP |
包装说明: | DIP, DIP8,.3 | 针数: | 8 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.33.00.01 | 风险等级: | 5.89 |
放大器类型: | OPERATIONAL AMPLIFIER | 架构: | VOLTAGE-FEEDBACK |
最大平均偏置电流 (IIB): | 0.0009 µA | 25C 时的最大偏置电流 (IIB): | 0.0004 µA |
标称共模抑制比: | 100 dB | 频率补偿: | YES |
最大输入失调电流 (IIO): | 0.0012 µA | 最大输入失调电压: | 3900 µV |
JESD-30 代码: | R-GDIP-T8 | JESD-609代码: | e0 |
低-偏置: | YES | 低-失调: | NO |
负供电电压上限: | -18 V | 标称负供电电压 (Vsup): | -15 V |
功能数量: | 2 | 端子数量: | 8 |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
封装主体材料: | CERAMIC, GLASS-SEALED | 封装代码: | DIP |
封装等效代码: | DIP8,.3 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | +-15 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 5.08 mm | 最小摆率: | 8 V/us |
标称压摆率: | 13 V/us | 子类别: | Operational Amplifier |
最大压摆率: | 6.8 mA | 供电电压上限: | 18 V |
标称供电电压 (Vsup): | 15 V | 表面贴装: | NO |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
标称均一增益带宽: | 5500 kHz | 最小电压增益: | 35000 |
宽度: | 7.62 mm |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
LF412CJG | ETC |
获取价格 |
Voltage-Feedback Operational Amplifier | |
LF412CN | NSC |
获取价格 |
Low Offset, Low Drift Dual JFET Input Operational Amplifier | |
LF412CN | TI |
获取价格 |
LF412 Low Offset, Low Drift Dual JFET Input Operational Amplifier | |
LF412CN | MOTOROLA |
获取价格 |
DUAL OP-AMP, 3000uV OFFSET-MAX, 4MHz BAND WIDTH, PDIP8, PLASTIC, DIP-8 | |
LF412CN | ONSEMI |
获取价格 |
DUAL OP-AMP, 3000uV OFFSET-MAX, 4MHz BAND WIDTH, PDIP8, PLASTIC, DIP-8 | |
LF412CN/A+ | ETC |
获取价格 |
Voltage-Feedback Operational Amplifier | |
LF412CN/B+ | TI |
获取价格 |
IC,OP-AMP,DUAL,BIPOLAR/JFET,DIP,8PIN,PLASTIC | |
LF412CN/NOPB | TI |
获取价格 |
Low Offset, Low Drift Dual JFET Input Operational Amplifier 8-PDIP 0 to 70 | |
LF412CN8 | Linear |
获取价格 |
Dual Precision JFET Input Operational Amplifiers | |
LF412CP | TI |
获取价格 |
DUAL JFET-INPUT OPERATIONAL AMPLIFIER |