Datasheet > LF412MJ/883

LF412MJ/883

更新时间： 2024-11-22 22:30:07

品牌	Logo	应用领域
美国国家半导体 - NSC		运算放大器
页数	文件大小	规格书
13页	563K
描述
Low Offset, Low Drift Dual JFET Input Operational Amplifier

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

LF412MJ/883 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	DIP	包装说明：	DIP, DIP8,.3
针数：	8	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.33.00.01
风险等级：	5.4	放大器类型：	OPERATIONAL AMPLIFIER
架构：	VOLTAGE-FEEDBACK	最大平均偏置电流 (IIB)：	0.0002 µA
25C 时的最大偏置电流 (IIB)：	0.0002 µA	最小共模抑制比：	70 dB
标称共模抑制比：	100 dB	频率补偿：	YES
最大输入失调电流 (IIO)：	0.025 µA	最大输入失调电压：	3000 µV
JESD-30 代码：	R-GDIP-T8	JESD-609代码：	e0
低-偏置：	YES	低-失调：	NO
湿度敏感等级：	1	负供电电压上限：	-18 V
标称负供电电压 (Vsup)：	-15 V	功能数量：	2
端子数量：	8	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码：	DIP	封装等效代码：	DIP8,.3
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
包装方法：	RAIL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	+-15 V	认证状态：	Not Qualified
筛选级别：	MIL-STD-883	座面最大高度：	5.08 mm
最小摆率：	8 V/us	标称压摆率：	15 V/us
子类别：	Operational Amplifier	最大压摆率：	6.5 mA
供电电压上限：	18 V	标称供电电压 (Vsup)：	15 V
表面贴装：	NO	技术：	BIPOLAR
温度等级：	MILITARY	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
标称均一增益带宽：	4000 kHz	最小电压增益：	25000
宽度：	7.62 mm	Base Number Matches：	1

LF412MJ/883 数据手册

August 2000

LF412

Low Offset, Low Drift Dual JFET Input Operational

Amplifier

General Description

Features

n Internally trimmed offset voltage: 1 mV (max)

n Input offset voltage drift: 10 µV/˚C (max)

n Low input bias current: 50 pA

These devices are low cost, high speed, JFET input opera-

tional amplifiers with very low input offset voltage and guar-

anteed input offset voltage drift. They require low supply

current yet maintain a large gain bandwidth product and fast

slew rate. In addition, well matched high voltage JFET input

devices provide very low input bias and offset currents. The

LF412 dual is pin compatible with the LM1558, allowing

designers to immediately upgrade the overall performance of

existing designs.

n Low input noise current:

n Wide gain bandwidth: 3 MHz (min)

n High slew rate: 10V/µs (min)

n Low supply current: 1.8 mA/Amplifier

n High input impedance: 10¹²

n Low total harmonic distortion ≤0.02%

n Low 1/f noise corner: 50 Hz

n Fast settling time to 0.01%: 2 µs

Ω

These amplifiers may be used in applications such as high

speed integrators, fast D/A converters, sample and hold

circuits and many other circuits requiring low input offset

voltage and drift, low input bias current, high input imped-

ance, high slew rate and wide bandwidth.

Typical Connection

Connection Diagrams

Metal Can Package

00565642

Order Number LF412MH, LF412CH

or LF412MH/883 (Note 1)

00565641

See NS Package Number H08A

Ordering Information

LF412XYZ

Dual-In-Line Package

X indicates electrical grade

Y indicates temperature range

“M” for military

“C” for commercial

Z indicates package type

“H” or “N”

00565644

Order Number LF412ACN, LF412CN

or LF412MJ/883 (Note 1)

See NS Package Number J08A or N08E

™

BI-FET II is a trademark of National Semiconductor Corporation.

DS005656

www.national.com

12 3 4 5 6 7...13

中文翻译

下载PDF

LF412MJ/883 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
LM2902N	TI	功能相似	QUADRUPLE OPERATIONAL AMPLIFIERS
LM324N	TI	功能相似	QUADRUPLE OPERATIONAL AMPLIFIERS
LF347N	TI	功能相似	JFET-INPUT QUAD OPERATIONAL AMPLIFIERS

与LF412MJ/883相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
LF412MJ8	Linear	获取价格	Dual Precision JFET Input Operational Amplifiers
LF412MJ8883	Linear	获取价格	IC DUAL OP-AMP, 5.5 MHz BAND WIDTH, CDIP8, HERMETIC SEALED, CERDIP-8, Operational Amplifie
LF412MWC	NSC	获取价格	IC DUAL OP-AMP, 3000 uV OFFSET-MAX, 4 MHz BAND WIDTH, UUC8, WAFER, Operational Amplifier
LF412MWC	TI	获取价格	Dual JFET-INPUT Operational Amplifier
LF412-N	TI	获取价格	双路、44V、4MHz、高压摆率 (15V/µs)、输入接近 V+、JFET 输入运算放大
LF412QML	TI	获取价格	LF412QML Low Offset, Low Drift Dual JFET Input Operational Amplifier
LF-418	SIRENZA	获取价格	Wideband RF/Pulse Transformers .01/100 MHz/.01-100 MHz
LF-422	SIRENZA	获取价格	Wideband RF/Pulse Transformers .01-100 MHz/.01-80 MHz
LF-428	SIRENZA	获取价格	Wideband RF/Pulse Transformers .1-50 MHz/.01-25 MHz
LF43168	LOGIC	获取价格	Dual 8-Tap FIR Filter

与LF412MJ/883相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

35
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

26
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

54
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

52

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

LF412MJ/883

LF412MJ/883 技术参数

LF412MJ/883 数据手册

LF412MJ/883 替代型号

与LF412MJ/883相关器件

与LF412MJ/883相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

LF412MJ/883

LF412MJ/883 技术参数

LF412MJ/883 数据手册

LF412MJ/883 替代型号

与LF412MJ/883相关器件

与LF412MJ/883相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？