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LF412CN/NOPB

更新时间: 2024-09-21 13:09:19
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 运算放大器
页数 文件大小 规格书
16页 1315K
描述
Low Offset, Low Drift Dual JFET Input Operational Amplifier 8-PDIP 0 to 70

LF412CN/NOPB 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active零件包装代码:DIP
包装说明:DIP, DIP8,.3针数:8
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.33.00.01Factory Lead Time:8 weeks
风险等级:1.49放大器类型:OPERATIONAL AMPLIFIER
架构:VOLTAGE-FEEDBACK最大平均偏置电流 (IIB):0.0002 µA
25C 时的最大偏置电流 (IIB):0.0002 µA最小共模抑制比:70 dB
标称共模抑制比:100 dB频率补偿:YES
最大输入失调电流 (IIO):0.0001 µA最大输入失调电压:3000 µV
JESD-30 代码:R-PDIP-T8JESD-609代码:e3
长度:9.81 mm低-偏置:YES
低-失调:NO微功率:NO
湿度敏感等级:1负供电电压上限:-18 V
标称负供电电压 (Vsup):-15 V功能数量:2
端子数量:8最高工作温度:70 °C
最低工作温度:封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:DIP封装等效代码:DIP8,.3
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
包装方法:TUBE峰值回流温度(摄氏度):NOT APPLICABLE
功率:NO电源:+-15 V
可编程功率:NO认证状态:Not Qualified
筛选级别:MIL-STD-883座面最大高度:5.08 mm
最小摆率:8 V/us标称压摆率:15 V/us
子类别:Operational Amplifier最大压摆率:3.25 mA
供电电压上限:18 V标称供电电压 (Vsup):15 V
表面贴装:NO技术:BIPOLAR
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
标称均一增益带宽:4000 kHz最小电压增益:15000
宽带:NO宽度:6.35 mm
Base Number Matches:1

LF412CN/NOPB 数据手册

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LF412  
LF412 Low Offset, Low Drift Dual JFET Input Operational Amplifier  
Literature Number: SNOSBH7D  

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