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LET9060F

更新时间： 2024-11-09 21:10:55

品牌	Logo	应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS		放大器光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	155K
描述
60W 28V HF to 2GHz LDMOS TRANSISTOR in flangeless package

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LET9060F 技术参数

生命周期：	Not Recommended	包装说明：	FLATPACK, R-PDFP-F2
针数：	2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	8.33
外壳连接：	SOURCE	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	80 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	12 A
最大漏极电流 (ID)：	12 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	R-PDFP-F2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLATPACK	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	130 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

LET9060F 数据手册

LET9060F

RF power transistor from the LdmoST family

of n-channel enhancement-mode lateral MOSFETs

Features

■ Excellent thermal stability

■ Common source configuration

■ P

(@ 28 V)= 60 W with 18 dB gain @ 945

OUT

MHz

■ P

(@ 36 V)= 90 W with 18 dB gain @ 945

OUT

MHz

■ BeO free package

M250

epoxy sealed

■ In compliance with the 2002/95/EC european

directive

Figure 1.

Pin out

Description

The LET9060F is a common source n-channel

enhancement-mode lateral field-effect RF power

transistor designed for broadband commercial

and industrial applications at frequencies up to

1.0 GHz. The LET9060F is designed for high gain

and broadband performance operating in

common source mode at 28 V. It is ideal for base

station applications requiring high linearity.

1. Drain

2. Gate

3. Source

Table 1.

Device summary

Order code

Package

Branding

LET9060F

M250

April 2011

Doc ID 16863 Rev 3

1/9

www.st.com

12 3 4 5 6 7...9

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