5秒后页面跳转
LET9130 PDF预览

LET9130

更新时间: 2024-11-20 22:31:23
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体射频场效应晶体管光电二极管放大器局域网
页数 文件大小 规格书
6页 60K
描述
RF POWER TRANSISTORS Ldmos Enhanced Technology

LET9130 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:0.370 X 0.780, PLASTIC, M265, 2 PIN
针数:2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.84
Is Samacsys:N外壳连接:SOURCE
配置:SINGLE最小漏源击穿电压:65 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):15 A最大漏极电流 (ID):15 A
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最高频带:ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码:R-PDFM-F2元件数量:1
端子数量:2工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:200 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):217 W
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YES端子形式:FLAT
端子位置:DUAL晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

LET9130 数据手册

 浏览型号LET9130的Datasheet PDF文件第2页浏览型号LET9130的Datasheet PDF文件第3页浏览型号LET9130的Datasheet PDF文件第4页浏览型号LET9130的Datasheet PDF文件第5页浏览型号LET9130的Datasheet PDF文件第6页 
LET9130  
RF POWER TRANSISTORS  
Ldmos Enhanced Technology  
PRELIMINARY DATA  
N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE LATERAL  
MOSFETs  
IS-95 CDMA: 865-895 MHz / 28 V  
P
OUT  
= 25 W  
EFF. = 29 %  
EDGE: 920-960 MHz / 28 V  
P
= 45 W  
OUT  
M265  
epoxy sealed  
EFF. = 38 %  
GSM: 920-960 MHz / 28 V  
ORDER CODE  
BRANDING  
LET9130  
P
= 135 W  
OUT  
LET9130  
EFF. = 51 %  
EXCELLENT THERMAL STABILITY  
BeO FREE PACKAGE  
INTERNAL INPUT MATCHING  
ESD PROTECTION  
PIN CONNECTION  
1
DESCRIPTION  
The LET9130 is a common source N-Channel  
enhancement-mode lateral Field-Effect RF power  
transistor designed for broadband commercial and  
industrial applications at frequencies up to 1.0  
GHz. The LET9130 is designed for high gain and  
broadband performance operating in common  
source mode at 28 V. Its internal matching makes  
it ideal for base station applications requiring high  
linearity.  
2
3
1. Drain  
2. Source  
3. Gate  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T  
= 25 °C)  
CASE  
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
V
V
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Drain Current  
65  
(BR)DSS  
V
-0.5 to +15  
15  
V
GS  
I
D
A
P
Power Dissipation (@ Tc = 70 °C)  
Max. Operating Junction Temperature  
Storage Temperature  
217  
W
°C  
°C  
DISS  
Tj  
200  
T
-65 to +200  
STG  
THERMAL DATA  
R
th(j-c)  
Junction -Case Thermal Resistance  
0.6  
°C/W  
February, 6 2003  
1/6  

与LET9130相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
LET9150 STMICROELECTRONICS

获取价格

150W 32V HF to 2GHz LDMOS TRANSISTOR in push-pull package
LETAA LITTELFUSE

获取价格

Littelfuse生产的600伏直列防水保险丝座是所有需要使用保险丝的高湿度、强腐蚀性环
LETAAS LITTELFUSE

获取价格

Littelfuse生产的600伏直列防水保险丝座是所有需要使用保险丝的高湿度、强腐蚀性环
LETAB LITTELFUSE

获取价格

Littelfuse生产的600伏直列防水保险丝座是所有需要使用保险丝的高湿度、强腐蚀性环
LETABS LITTELFUSE

获取价格

Littelfuse生产的600伏直列防水保险丝座是所有需要使用保险丝的高湿度、强腐蚀性环
LETAYCS LITTELFUSE

获取价格

Littelfuse生产的600伏直列防水保险丝座是所有需要使用保险丝的高湿度、强腐蚀性环
LETBA LITTELFUSE

获取价格

Littelfuse生产的600伏直列防水保险丝座是所有需要使用保险丝的高湿度、强腐蚀性环
LETBAS LITTELFUSE

获取价格

Littelfuse生产的600伏直列防水保险丝座是所有需要使用保险丝的高湿度、强腐蚀性环
LETBB LITTELFUSE

获取价格

Littelfuse生产的600伏直列防水保险丝座是所有需要使用保险丝的高湿度、强腐蚀性环
LETBBS LITTELFUSE

获取价格

Littelfuse生产的600伏直列防水保险丝座是所有需要使用保险丝的高湿度、强腐蚀性环