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LET9120M

更新时间: 2024-11-21 21:15:55
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 局域网放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 133K
描述
UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, M252, 4 PIN

LET9120M 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active包装说明:ROHS COMPLIANT, PLASTIC, M252, 4 PIN
针数:4Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.7
外壳连接:SOURCE配置:SINGLE
最小漏源击穿电压:80 V最大漏极电流 (Abs) (ID):18 A
最大漏极电流 (ID):18 AFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带:ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码:R-PDFM-F4
元件数量:1端子数量:4
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:200 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):217 W
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YES端子形式:FLAT
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

LET9120M 数据手册

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LET9120M  
RF power transistor from the LdmoST family  
of n-channel enhancement-mode lateral MOSFETs  
Preliminary data  
Features  
Excellent thermal stability  
Common source configuration push-pull  
P  
= 120 W with 18 dB gain @ 860 MHz  
OUT  
Internal input matching  
BeO-free package  
Description  
The LET9120M is a common source n-channel  
enhancement-mode lateral field-effect RF power  
transistor designed for broadband commercial  
and industrial applications at frequencies up to  
1.0 GHz.  
M252  
Epoxy sealed  
Figure 1.  
Pin connection  
1
5
2
3
4
1. Drain  
2. Drain  
4. Gate  
5. Gate  
3. Source  
Table 1.  
Device summary  
Order code  
Package  
Branding  
LET9120M  
M252  
LET9120M  
February 2010  
Doc ID 16762 Rev 2  
1/8  
This is preliminary information on a new product now in development or undergoing evaluation. Details are subject to  
change without notice.  
www.st.com  
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